Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Исследование зависимости тока коллектора транзистора от коллекторного напряжения




Исследование зависимости входного тока от входного напряжения биполярного транзистора при фиксированном выходном напряжении

Порядок выполнения работы

Основные параметры биполярных транзисторов

Режимы работы биполярного транзистора

1) Нормальный активный режим ( переход эмиттер-база включен в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт)).

2) Инверсный активный режим (э миттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход — прямое).

3) Режим насыщения (о ба p-n- перехода смещены в прямом направлении (оба открыты)).

4) Режим отсечки (в данном режиме оба p-n- перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты)).

§ Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером β;

§ Обратный ток коллектора Iкбо;

§ Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером fгр;

§ Коэффициент шума биполярного транзистора Кш;

§ Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбmax;

§ Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэmax;

§ Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax;

§ Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pкmax.

 

1. Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый биполярный транзистор (4);

2. Установить Еоп=+12 В;

3. Измерить зависимость входного тока базы I1 от напряжения база-эмиттер Е1 измерить при двух значениях напряжения коллекторного питания Е3=0 В, Е3=1 В для этого:

3.1. Установить значение напряжения Е3=0В;

3.2. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения входного тока базы I1 и напряжения база-эмиттер Е1;

3.3. Изменяя значения тока I1 в интервале от 0,1 ÷0,5 мА с шагом 0,1 мА, записать значения напряжения Е1

3.4. По полученным значениям построить семейство входных статических характеристик (по оси ординат (Y)– ток I1; по оси абсцисс(X) – напряжение Е1).

4. Переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3

5. Установить значение напряжения Е3=1 В с точностью ±0,05 В;

6. Повторить пункты 3.2 -3.4 настоящего руководства.

Провести измерения при трех значениях напряжения на базе Е1 выбираемых из самостоятельно из диапазона 0,6÷0.67 В, для этого:

1. Установить выбранное значение напряжения Е1

2. Переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;

3. Прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться появления на экране «точки максимума» (таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условиям:

Р=I3·E3<20 мВт

где - мощность, рассеиваемая на коллекторе.

 

4. Изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока коллектора I3 от напряжения коллектора Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на базе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►).

5. По полученным данным построить семейство выходных характеристик биполярного транзистора (по оси ординат (Y)– ток I3; по оси абсцисс (X) – напряжение Е3).




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 64; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.008 сек.