Порядок выполнения работы

Основные параметры МДП-транзисторов

Вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов

Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом n- типа I_c =f(U_си) показаны на рис. 6а.

Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n- типа I_c=f(U_зи) приведена на рис. 6б.

Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения U_си. Ток I_c = 0 при U_си=0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока.

б)

Рис. 6. Семейство стоковых характеристик (а); стоко-затворная характеристика (б)

Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n- переходом.

Что касается входного сопротивления то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n- переходом. Входное сопротивление у них составляет r_вх =10¹²…10¹⁴ Ом.

1. Нажатием кнопки «Тип прибора» подключить к измерительной схеме исследуемый полевой транзистор (5);

2. Переключить кнопкой, расположенной у дисплея мультиметра ► в режим, отображающий значения напряжения затвор-исток Е2; Установить напряжение на втором затворе E 2»8 В;

3. Провести измерения при пяти значениях напряжения на затворе Е1 выбираемых самостоятельно (с равным интервалом) из диапазона» 0,6-2,0 В, для этого:

3.1. установить выбранное значение E1;

3.2. переключить кнопкой ◄, расположенной у дисплея мультиметра, в режим, отображающий ток I3 и напряжение Е3;

3.3. прокручивая ручку потенциометра Е3, добиться таких значений напряжения и тока, которые будут удовлетворять условию:

Р=I3·E3<20 мВт

где - мощность, рассеиваемая на транзисторе;

3.4. изменяя значение напряжения по убыванию с шагом 0,5 В, снять зависимость тока стока I3 от напряжения сток-исток Е3 (при этом необходимо постоянно контролировать уровень напряжения на затворе Е1 переключением кнопок у дисплея мультиметра ◄ ►);

4. По полученным значениям построить семейство выходных характеристик полевого транзистора (по оси ординат (Y) – ток I3; по оси абсцисс – напряжение Е3 (X));

5. Уменьшить ~ в два раза напряжение на втором затворе E 2;

6. Повторить исследования пункта 5 настоящего руководства;

7. По полученным данным построить стоко-затворные характеристики при различных напряжениях на втором затворе Е₂.

Дата добавления: 2017-02-01