Лекция 3. Полевые транзисторы

Зависимость коэффициента усиления транзистора от частоты

На низких частотах распределение концентрации электронов в базе равномерно уменьшается от эмиттера к коллектору.

На высоких частотах идет диффузия носителей не только к коллектору, но и в обратную сторону, т.е. к эмиттеру. Коэффициент передачи тока уменьшается. Частота , при которой коэффициент передачи тока a уменьшается в раз (3 дБ) по сравнению с на низких частотах, называется граничной усиления (см. рисунок 2.6).

В дрейфовом транзисторе, перенос неосновных носителей заряда в базе происходит в основном за счет дрейфа в электрическом поле. Поле же создается из-за неравномерной начальной концентрации примесей в базе, экспоненциально уменьшающейся от эмиттера к коллектору. Например, в n-p-n -транзисторе из-за градиента концентрации акцепторной примеси дырки диффундируют от эмиттерного перехода к коллекторному. Создается избыток положительных зарядов у КП за счет дырок, а у ЭП создается нескомпенсированный заряд из отрицательных ионов. В базе создается электрическое поле Е, ускоряющее движение электронов от эмиттера к коллектору со скоростью в 2…5 раз большей, чем диффузия. Граничная частота усиления транзистора увеличивается в 2…5 раз.

Содержание лекции:

- устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p - n- переходом и с изолированным затвором;

- основные параметры и статические характеристики транзистора;

- приборы с зарядовой связью.

Цели лекции:

- изучить устройство и принцип действия полевого транзистора;

- изучить основные параметры и характеристики транзистора;

- изучить приборы с зарядовой связью.

Полевой транзистор – это униполярный полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления полупроводника поперечным электрическим полем (полевой). Делятся на транзисторы с управляемым p-n переходом (ПТУП) и с изолированным затвором (МДП, МОП).

Дата добавления: 2017-02-01