Полупроводниковые диоды

Контакты металл-полупроводник

Они используются в полупроводниковой электронике либо в ка­честве омических (невыпрямляющих) контактов с областями полупроводниковых приборов, либо в качестве выпрямляющих контак­тов. Структура и свойства таких контактов зависят от соотношения работ выхода металла и полупроводника. Потенциальный барьер в приконтактном слое, равный разности работ выхода металла и полупроводника (j_к = j_М – j_n), называют барьером Шоттки, а диоды, использующие эти барьеры, – диодами Шоттки или диодами с барьером Шоттки (ДБШ).

Важной особенностью барьеров Шоттки по сравнению с р-n-переходом является отсутствие инжекции неосновных носителей. Эти переходы «работают» на основных носителях, поэтому у них отсутствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасыванием носителей, и выше быстродействие.

Особенностью переходов с барьером Шотки является то, что их ВАХ ближе всего к экспоненциальной ВАХ идеализированного р-n-перехода, а прямое напряжение меньше (примерно на 0,2 В), чем в р-n-переходах.

Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия которого основан в основном на использовании свойств р-n перехода. (Но есть диоды без использования р-n -перехода).

Например, в выпрямительном диоде используется свойство униполярной проводимости. Диод предназначен для преобразования переменного тока в постоянный. Основной характеристикой выпрямительного диода является его вольт-амперная характеристика. На рисунке 1.3 приведены ВАХ р-n -перехода (1) или теоретическая и диода (2) или реальная. В точке А происходит тепловой пробой.

В преобразовательных и импульсных диодах используется нелинейность ВАХ р-n -перехода. В стабилитронах используется лавинный пробой, при котором напряжение на нем постоянно при изменении тока в широких пределах. В туннельных и обращенных диодах используется - туннельный эффект; в варикапах - барьерная емкость; в фотодиодах - зависимость тока от облучения; в светодиодах - излучательная рекомбинация, в диодах Шоттки – барьер Шоттки, обладающий односторонней проводимостью и высоким быстродействием.

выпрямительный ; стабилитрон ; туннельный ; обращенный ; варикап ; диод Шоттки ; двусторонний стабилитрон ; светодиод ; фотодиод .

Полупроводниковые диоды обозначаются следующим образом:

Дата добавления: 2017-02-01