КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Подготовка к лабораторному занятию
1. Индивидуальные исходные данные, используемые студентом при выполнении лабораторной работы, включают в себя численные значения переменных, обозначения которых приведены в таблице 1-1. Таблица 1-1
В таблице указаны значения … 1) № вар. – номер варианта исходных данных. 2) Параметры используемых диодов: Диод – обозначение диода; U(TO) – пороговое напряжение; rT – динамическое сопротивление; RθJC – установившееся тепловое сопротивление системы “полупроводниковая структура – корпус”; RθCS – установившееся тепловое сопротивление системы “корпус – поверхность охладителя (радиатора); TJm – максимально допустимое среднее значение температуры полупроводниковой структуры диода. 3) Параметры номинального режима работы схемы: E2 – действующее значение напряжения питающей сети. Ia(av) – среднее значение анодного тока диода, А; kf = 1,5708 – коэффициент формы анодного тока; TJ – среднее значение температуры структуры диода, oC; TA = 40 oC – температура охлаждающей среды; fс = 50 Гц – частота напряжения питающей сети.
Эквивалентная схема замещения диода во включенном состоянии, используемая при выполнении лабораторной работы, приведена на рис. 1.3. Рис. 1.3. Эквивалентная схема замещения диода в состоянии высокой проводимости
При этом падение напряжения на диоде при протекании через него прямого тока i a определяется как (1.15) 2. Воспользовавшись приведенными ниже формулами, вычислить значения следующих параметров. 1) – среднее значение мощности потерь: (1.16)
2) – полное установившееся тепловое сопротивление системы “полупроводниковая структура – охлаждающая среда”: (1.17) 3) – установившееся тепловое сопротивление системы охладителя (радиатора): (1.18) 4) – среднее значение тока нагрузки: (1.19) 5) – среднее значение выпрямленного напряжения: (1.20) 6) – сопротивление нагрузки: (1.21) 7) – индуктивное сопротивление и индуктивность сглаживающего фильтра: (1.22) 8) – максимальная величина обратного напряжения URm вычисляется по формуле (1.4): 9) –ориентировочное время моделирования: (1.23) 3. Ознакомиться с электронной версией материалов по использованию программного обеспечения PSIM в лабораторной работе 1 [1.3].
Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 68; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |