Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Подготовка к лабораторному занятию




 

1. Индивидуальные исходные данные, используемые студентом при выполнении лабораторной работы, включают в себя численные значения переменных, обозначения которых приведены в таблице 1-1.

Таблица 1-1

                         
№ вар. Диод U(TO), B rT, Ом RθJC, оС/Вт RθCS, оС/Вт TJm, oC E2, B Ia(av), A kf TJ, oC TA, oC fc, Гц

 

В таблице указаны значения …

1) № вар. – номер варианта исходных данных.

2) Параметры используемых диодов:

Диод – обозначение диода;

U(TO) – пороговое напряжение;

rT – динамическое сопротивление;

RθJC – установившееся тепловое сопротивление системы “полупроводниковая структура – корпус”;

RθCS – установившееся тепловое сопротивление системы “корпус – поверхность охладителя (радиатора);

TJm – максимально допустимое среднее значение температуры полупроводниковой структуры диода.

3) Параметры номинального режима работы схемы:

E2 – действующее значение напряжения питающей сети.

Ia(av) – среднее значение анодного тока диода, А;

kf = 1,5708 – коэффициент формы анодного тока;

TJ – среднее значение температуры структуры диода, oC;

TA = 40 oC – температура охлаждающей среды;

fс = 50 Гц – частота напряжения питающей сети.

 

Эквивалентная схема замещения диода во включенном состоянии, используемая при выполнении лабораторной работы, приведена на рис. 1.3.

Рис. 1.3. Эквивалентная схема замещения диода в состоянии высокой проводимости

 

При этом падение напряжения на диоде при протекании через него прямого тока i a определяется как

(1.15)

2. Воспользовавшись приведенными ниже формулами, вычислить значения следующих параметров.

1) – среднее значение мощности потерь:

(1.16)

 

2) – полное установившееся тепловое сопротивление системы “полупроводниковая структура – охлаждающая среда”:

(1.17)

3) – установившееся тепловое сопротивление системы охладителя (радиатора):

(1.18)

4) – среднее значение тока нагрузки:

(1.19)

5) – среднее значение выпрямленного напряжения:

(1.20)

6) – сопротивление нагрузки:

(1.21)

7) – индуктивное сопротивление и индуктивность сглаживающего фильтра:

(1.22)

8) – максимальная величина обратного напряжения URm вычисляется по формуле (1.4):

9) –ориентировочное время моделирования:

(1.23)

3. Ознакомиться с электронной версией материалов по использованию программного обеспечения PSIM в лабораторной работе 1 [1.3].

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2017-02-01; Просмотров: 53; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.