Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Емкость р-n перехода

Лавинный пробой

Тепловой пробой

Туннельный (зенеровский) пробой

Пробой p-n перехода

Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.

Домашнее задание.

Закрепление.

Опрос или тестирование.

Ход урока

1. Организационный момент:

a. Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов,

b. наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.

c. Присутствие студентов на занятии.

3. Выдача нового материала:

a. Пробой p-n перехода

b. Туннельный пробой

c. Лавинный пробой

d. Тепловой пробой

e. Емкость p-n перехода

f. Барьерная емкость

g. Диффузионная емкость

h. Вольт-амперная характеристика диода.

Пробоем электронно-дырочного перехода называют явление очень быстрого роста обратного тока при незначительном повышении постоянного обратного напряжения.

Пробоем электронно-дырочного перехода – это резкое изменение режима работы перехода, находящегося под обратным напряжением.

Выделяют три типа пробоев: туннельный (зенеровский), лавинный и тепловой.

Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает туннельный эффект – явление прохождение электронов сквозь потенциальный барьер

 

Тепловыделение в области электронно-дырочного перехода, пропорциональное обратному напряжению и обратному току, увеличивает температуру кристалла полупроводника и силу обратного тока, что приводит к ещѐ большему тепловыделению, ещѐ большему обратному току и более высокой температуре и так далее. В результате такого катастрофического перегрева получает развитие тепловой пробой, который разрушает электронно-дырочный переход и после остывания прежние свойства, например, односторонней проводимости, к нему уже не вернутся. Тепловой пробой возникает после электрического пробоя перехода. (видеоролик)

 

Лавинный пробой возникает если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома. Расстояние, которое проходит носитель заряда до соударения называют длиной свободного пробега. (видеоролик)

Основное влияние на возможность работы электронно-дырочного перехода на определѐнных частотах оказывают две ѐмкости, которые называют диффузионной и барьерной. (видеоролик)

Барьерной называют ѐмкость, которая возникает при обратном включении электронно-дырочного перехода, когда практически все носители заряда находятся на границе раздела, а в нѐм самом отсутствуют.

Вследствии диффузии электронов и дырок через p-n переход области, возникают нескомпенсированные объемные заряды ионизированных атомов примесей, которые закреплены в узлах кристаллической решетки полупроводника и поэтому не участвуют в процессе протекания электрического тока. Однако объемные заряды создают электрическое поле, которое в свою очередь самым существенным образом влияет на движение свободных носителей электричества, то есть на процесс протекания тока.

При увеличении обратного напряжения область пространственных зарядов и величина заряда в каждом слое (p и n) увеличивается. Это увеличение происходит непропорционально: при большом по модулю обратном напряжении заряд увеличивается при увеличении модуля напряжения медленнее, чем при малом по модулю обратном напряжении.

 

Q – пространственный заряд в слое n полупроводника

U - внешнее напряжение, приложенное к p-n переходу.

 

(Оспищева – барьерная емкость доклад, Маспак – диффузионная емкость)

Диффузионную ѐмкость инициируют носители заряда, которые при прямом включении электронно-дырочного перехода в силу инжекции диффундируют через него и не успевают пройти рекомбинацию.

Общая емкость p-n перехода – это сумма барьерной и диффузионной емкости.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Лекция 3 Режимы работы p-n перехода. Основные параметры диодов | Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок. Вольт-амперная характерисика диода

Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 616; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2022) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.017 сек.