Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок. Вольт-амперная характерисика диода

Домашнее задание.

Закрепление.

Опрос или тестирование.

Ход урока

Гетеропереходы

Вольт-амперная характерисика диода

Габидулин – диффузионная емкость

Гетеропереход – это переход, возникающий на границе химически различных полупроводниковых структур, у которых не одинакова ширина запрещѐнной зоны. На границе полупроводников, которые обладают одинаковыми типами проводимости, возникают изотипные гетеропереходы, а на границе полупроводников с отличными типами проводимостей – анизотипные. Важно, чтобы на границе кристаллических решѐток полупроводников, образующих гетеропереход, не было дефектов кристаллической решѐтки, отсутствовали механические напряжения материалов. В области гетероперехода происходят изменения свойств веществ, образующих его, такие как смещения запрещѐнной и энергетических зон, изменение скорости, с которой распространяются носители заряда и прочее. Для получе-ния гетеропереходов используют полупроводниковые пары AlAs и GaAs, AlSb и GaSb, GaAs и Ge, ZnSe и GaAs и другие. Используя наборы гетеропереходов, получают многослойные образования, которые называют гетероструктурами. Полупроводниковые гетеропереходы нашли применение в особо сверхвысокочастотных транзисторах, диодах, светодиодах, лазерах и прочих компонентах.

Лекция 4 Разновидности диодов: стабилитроны, стабистор, диод Шоттки, варикап, туннельный диод, обращенный диод.

Цель обучающая:

1. Усвоение обучающимися знаний по теме урока.

Цель развивающая:

1. Развитие аналитического, синтезирующего и абстрактного мышления, умений применять знания на практике.

2. Развитие умений учебного труда, инициативы, уверенности в своих силах.

3. Развитие умений действовать самостоятельно.

Цель воспитательная

1. Стремиться воспитать чувство аккуратности.

2. Способствовать воспитанию чувства гордости за избранную профессию.

3. Умению управлять эмоциями, бережного отношения друг к другу.

Тип урока: Урок изучения нового материала и первичного закрепления

Средства обучения: Вербальные: голос, речь, учебная литература, проектор.

1. Организационный момент:

a. Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов,

b. наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.

c. Присутствие студентов на занятии.

3. Выдача нового материала:

a.

Стабилитрон – это полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя.

В стабилитронах может иметь место и туннельный, лавинный и смешанный пробой в зависимости от удельного сопротивления базы. В стабилитронах с низкоомной базой (до 5,7В) имеет место туннельный пробой, а в стабилитронах с высокоомной базой – лавинный пробой.

Основные параметры стабилитрона:

1. Uст – напряжение стабилизации (при заданном токе в режиме пробоя)

2. Iст.мин – минимально допустимый ток стабилизации

3. Iст.макс – максимально допустимый ток стабилизации

4. r_ст – дифференциальное сопротивление стабилитрона

5.- (ТКН) температурный коэффициент напряжения стабилизации.

Стабистор – это полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении (около 0,7В) мало зависит от тока. Стабистор предназначен для стабилизации малых напряжений.

Дата добавления: 2014-01-04