Канал может иметь проводимость как р-типа, так и n-типа

МДП транзистор с индуцированным (наведенным) каналом.

Подложка образует с истоком, стоком и каналом p-n переход.

МДП транзистор со встроенным каналом

МДП транзисторы характеризуются очень большим входным сопротивлением.

Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.

Домашнее задание.

Закрепление.

МДП транзистор – это транзистор у которого затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика

МДП транзисторы делят на два типа:

1. Со встроенным (собственным) каналом (транзистор обедненного типа) – до подачи напряжения на затвор имеется канал, соединяющий исток и сток

2. Транзистор с индуцированным каналом (транзистор обогащенного типа) – канал между истоком и стоком отсутствует.

Канал может иметь проводимость как р-типа, так и n-типа

Рисунок Схематическое изображение структуры транзистора с каналом p-типа

Рисунок Условное графическое изображение транзистора с каналом p-типа

Данный транзистор может работать в двух режимах: обеднение и обогащение.

Режиму обеднения соответствует положительное напряжение. При увеличении этого напряжения концентрация дырок в канале уменьшается, что приводит к уменьшения тока стока.

Режиму обеднения соответствует отрицательное напряжение. При этом чем больше модуль указанного напряжения, тем больше проводимость канала и тем больше ток стока.

Если напряжениебольше напряжения отсечки, то есть если, то канал отсутствует и ток между истоком и стоком равен нулю.

Схема включения транзистора:

Рисунок Схема включения транзистора

На ток стока влияет не только напряжение, но и напряжение между подложкой и истоком. Однако управление по затвору всегда предпочтительнее, так как при этом входные токи намного меньше. Кроме того наличие напряжения на подложке уменьшает крутизну.

Рисунок Схематическое изображение структуры транзистора с каналом p-типа

Рисунок Условное графическое изображение транзистора с каналом p-типа

При нулевом напряженииканал отсутствует и ток стока равен нулю. Транзистор может работать только в режиме обогащения, которому соответствует отрицательное напряжение. При этом.

Если выполняется неравенство, где-пороговое напряжение, то между истоком и стоком возникает канал p-типа, по которому может протекать ток. Канал p-возникает из-за того, что концентрация дырок под затвором увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, в результате чего концентрация дырок оказывается больше концетрации электронов. Это явление изменения типа проводимости называют инверсией типа проводимости, а слой полупроводника в котором он имеет место – инверсным. Непосредственно под инверсным слоем образуется слой, обедненный подвижными носителями заряда. Инверсный слой значительно тоньше обедненного, а толщина обедненного слоя больше в 10 и более раз.

Схема включения транзистора

Дата добавления: 2014-01-04