КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Конструкция солнечного элемента и принцип его работы
Солнечные элементы преобразуют энергию светового излучения в электрическую энергию. Официальное название солнечных элементов в российской литературе: фотоэлектрические преобразователи (ФЭП). В основе практически каждого типа солнечного элемента лежит полупроводниковая структура. Общим свойством полупроводниковых материалов является их способность поглощать оптическое излучение с образованием избыточных носителей заряда: электронов и дырок. Солнечный элемент фактически представляет собой простой полупроводниковый диод, оптимизированный для эффективного поглощения солнечной энергии и её преобразования в электрическую. Образующиеся в полупроводниковой структуре электроны диффундируют к области p-n – перехода, где происходит их разделение электрическим полем. Избыточные электроны, созданные в p-слое, частично переносятся в n-слой (рис. 1). В результате n-слой приобретает дополнительный отрицательный заряд, а p-слой – положительный и во внешней цепи появляется напряжение. Отрицательному полюсу источника тока соответствует n-слой, а p-слой – положительному. Полупроводниковая структура p-n – перехода обычно получается диффузией примеси одного типа в полупроводник легированный примесью другого типа. Металлическая сетка и тыльный металлический контакт обеспечивают токосъем с полупроводниковой структуры. Антиотражающее покрытие увеличивает долю солнечного излучения проходящего в объем полупроводника. Все электромагнитное излучение, включая солнечный свет, состоит из квантов, называемых фотонами. Энергия кванта определяется его длиной волны в соответствии с формулой: где h – постоянная Планка, λ – длина волны. К рождению электронно-дырочных пар способны только фотоны с энергией, большей ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дата добавления: 2013-12-12; Просмотров: 405; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |