Принцип действия транзистора

Биполярные транзисторы

Предназначены для усиления сигналов и управления током в схемах полупроводниковой электроники.

Представляют из себя трехслойную структуру с чередующимися слоями проводимости, имеют три вывода для подключения к внешней цепи.

Биполярные подчеркивают то, что у таких транзисторов используется оба типа носителей зарядов (электроны и дырки).

Существует два типа транзисторов:

1. С прямой проводимостью (p-n-p)
2. С обратной проводимостью (n-p-n)

Крайние слой называются коллектором и эмиттером, слой между ними – базой.

Э-Б – эмиттерный переход.

Б-К – коллекторный переход.

Особенности конструкции:

1. Толщина базы должна быть меньше длины свободного пробега носителей зарядов.
2. Концентрация основных носителей (примеси) в эмиттере должна быть много больше, чем в базе.

>> - для p-n-p перехода.

Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном.

Схемы с общим эмиттером (ОЭ):

Схема с общим эмиттером называется так потому, что входная и выходная цепь имеют общую точку на эмиттере.

Рассмотрим на примере p-n-p транзистора.

Токи через переход БЭ и КЭ отсутствуют (наличие запирающих слоев).

Пусть , (и - закорочены). >>

Включим источники ЭДС и .

Потенциальный барьер на эмиттерном переходе уменьшится, так как полярность приложенного к нему напряжения – прямая ток диффузии через эмиттерный переход увеличится.

На коллекторном переходе полярность обратная потенциальный барьер коллекторного перехода увеличится.

Почти все дырки подошли к коллекторному переходу дырки будут втягиваться в коллектор (так как напряженность электрического поля коллекторного перехода будет «втягивающей»).

, где - коэффициент передачи тока эмиттера. ()

Часть дырок рекомбинирует в базе нейтральность базы нарушается возникает ток электронов в

базу.

Дата добавления: 2013-12-11