КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Характеристики транзисторов
Выходная (коллекторная характеристика)
IК=f(UКЭ) при IБ = const
Участки: I – крутой, II – пологий, III – участок теплового пробоя. Основным является II (усилительный) участок. На нём транзистор можно представить как управляемый источник тока. Наклон пологого участка: при ↑UКЭ => ↑φ0 => ↑ объёмный заряд => ↑ ширина двойного слоя => ↓ эффективная ширина базы => ↓ вероятность рекомбинации => ↑ IК. , , Для увеличения IБ надо увеличить UБЭ: I-участок , Пусть мы будем уменьшать UКЭ при UБЭ = const, когда UКЭ = UБЭ = UКЭ НАС, при дальнейшем уменьшении UКЭ, UКБ сменит знак – коллекторный переход встал под прямое напряжение. Возникает диффузия дырок из коллектора в базу, следовательно уменьшается ток IК, транзистор теряет усилительные свойства. I участок используется в ключевом режиме транзистора. UКЭН ≈ 0.2 ÷ 1 В III участок – участок теплового пробоя. Если увеличится UКЭ энергии электрического поля станет достаточно для ударной ионизации, нерабочий участок.
Входная характеристика
Семейство кривых IБ = f(UБЭ) при UКЭ = const IБ = IК + IЭ Входная характеристика - ВАХ двух параллельно включенных p-n переходов.
При UКЭ = 0 на ЭБ и БК UПРЯМОЕ. При UКЭ > UКЭН на ЭБ – UПРЯМОЕ, на БК – UОБРАТНОЕ. При UБЭ = 0 IБ = IКБО IБ = IК - IЭ = (1-α) × IЭ - IКБО из (2) - сопротивление базы – входное дипольное сопротивление транзистора
Транзисторные усилители Устройства, которые с помощью изменения сигнала малой мощности управляют изменением большой мощности на нагрузке
Усилители чаще всего усиливают напряжение. Усилитель постоянного тока переменного сигнала не должен воспринимать постоянную составляющую, для этого на входе ставят конденсатор. Влияние конденсатора уничтожает дрейф нуля. Усилитель переменного тока проще, чем усилитель постоянного тока, т.к. усилитель должен воспринимать постоянную составляющую, поэтому нельзя ставить конденсатор и бороться с дрейфом нуля другими способами, которые приводят к усложнению схемы усилителя. Усилительный каскад с общим эмиттером Построим передаточную характеристику каскада. Режим класса Б
I Участок: IБ ≈ 0, транзистор закрыт, IБ = IКБО, IК = β × IБ = 0, UКЭ=EК - IК × RК, т.к. IК=0, UКЭ = EК. II Участок: IБ имеет значение (из входной характеристики) неравное нулю. IК = β × IБ ≠ 0 при увеличении UБЭ, увеличиваются IБ, IК и уменьшается UКЭ. III Участок При увеличении UБЭ; UКЭ остаётся постоянным и равен UКЭН = (0.2÷1) В Предел измерения: IКБО ≤ IК ≤ ; UКЭН ≤ (UКЭ = UВЫХ) ≤EК Знаки ∆UВХ и ∆UВЫХ – разные, такой каскад называется инвертирующим.
Дата добавления: 2013-12-11; Просмотров: 346; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |