Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Загальні вказівки

Вимірювання основних параметрів транзисторів

1. При вимірюванні параметрів транзисторів неможна припаювати або обрізати виводи транзисторів.

2. Конструкція панельок для приєднання транзисторів до елементів схеми не повинна передбачати необхідність вигину висводів, особливо поблизу скляних ізоляторів.

3. Температура навколишнього середовища при вимірюванні повинна відповідати значенню, зазначеному в технічних умовах або довідковим даним на випробовуваний транзистор. Слід враховувати, що малопотужні транзистори встигають помітно нагрітися від пальців рук оператора за час витягання їх з упаковки і установки в вимірювальний прилад. В результаті такого нагріву може з’явитися нестабільність параметрів, яку спостерігають протягом 10 - 20с після включення вимірювального приладу.

4. При вимірюванні зворотних струмів переходів необхідно підключати до схеми базовий вивід транзистора першим, а відключати його останнім.

5. При вимірюванні параметрів транзисторів середньої та великої потужності їх виводи повинні приєднуватися до вимірювальної схеми при вимкненому джерелі живлення колекторного ланцюга. При відключенні транзисторів від схеми спочатку відключається колекторний ланцюг.

6. При вимірюванні параметрів транзисторів необхідно використовувати джерела постійних напруг і струмів (для завдання початкового зсуву) з коефіцієнтами пульсацій не більше 1%, якщо в технічних умовах не вказане інше значення. Коефіцієнт пульсації джерел в ланцюгах бази або емітера не повинен перевищувати 0,1%.

7. Для контролю режиму роботи транзисторів по постійному струму та вимірювання постійних струмів і напруги необхідно застосовувати прилади з похибкою не більше ± 2% кінцевого значення робочої частини шкали. Якщо при вимірюванні використовуються імпульсні вольтметри, то їх похибка не повинна перевищувати ± 4%.

8. Діапазон вимірювання приладу треба вибирати так, щоб відлік вимірюваного значення знаходився в межах 30-100% шкали.

9. Рекомендується спочатку вимірювати зворотні струми переходів, а потім вже інші параметри.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Вимірювання індуктивності | Методи вимірювання основних параметрів транзисторів

Дата добавления: 2013-12-13; Просмотров: 275; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2022) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.014 сек.