Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Оперативные запоминающие устройства

 

Оперативное ЗУ - это внутреннее запоминающее устройство микро-ЭВМ, обеспечивающее возможность оперативного изменения информации, используемое для записи, хранения и выдачи информации, в том числе во время выполнения программы, и имеющее длительность цикла обращения, соизмеримое с длительностью цикла выполнения микропроцессором основных операций.

По принципу запоминания информации ОЗУ подразделяются на СТАТИЧЕСКИЕ и ДИНАМИЧЕСКИЕ, которые различаются схемотехникой ячеек и принципом хранения информации.

1

15 А0 RAM à

А1 5

Рис. 11. Условное графическое обозначение ИМС ТТЛ статического ОЗУ К155РУ2, имеющей структуру 16 х 4 и общую емкость 64 бита, где:   A0-A3 - адресные выводы DI0-DI3 - выводы входа данных (записи) DO0-DO3 - выводы выхода данных (чтения) WR/RD – установка режима записи/чтения CS - выбора кристалла (инициализация) +U - напряжение питания GND (OV) - общий вывод    
14 А2 DO0 7

13 А3 DO1

2 DO2 9

CS DO3 11

 

3 WR/

RD

4

6 DI0

10 DI1 16

DI2 U+

12 DI3 GND 8

 

Элементы памяти статических ЗУ представляют собой бистабильные ячейки, что определяет потенциальный характер управляющих сигналов и возможность чте­ния информации без ее разрушения. Каждая ячейка статического ОЗУ является триггером, который содержит несколько транзисторов, поэтому такая память является относительно дорогостоящей, потребляет много энергии и не обладает высокой плотностью информации на кристалле. К достоинствам памяти отностится то, что после записи информация хранится сколько угодно долго до перезаписи или до отключения питания, и для организации работы такой памяти не требуется никаких дополнительных устройств.

 

 

Таблица 3. Основные режимы микросхемы памяти

 

Режимы/сигналы CS WE
Запись   O
Считывание    
Хранение   X

 

 

Каждая ячейка данного ОЗУ содержит 4 бита (полубайт) информации. Всего 16 ячеек. Таким образом, общий объем памяти ИС К155РУ2 - 64 бит, а ее СТРУКТУРА записывается как 16 х 4 бит. Т.е. структура памяти содержит информацию о количестве ячеек или объеме адресного пространства и об информационной емкости каждой ячейки. Если для какого-либо устройства понадобится память 16 байт, то придется использовать две микросхемы К155РУ2. Знание структура помогает выбрать нужный тип микросхем памяти. Например, с помощью данных микросхем можно организовать память 16 х 8 или 32 х 4, а для организации памяти 64 х 2 или 128 х 1 требуется другой тип микросхем.

 

           
   
 
A0 A1 A2 A3   DI0 DI1 DI2 DI3 DI4 DI5 DI6 DI7   WRCS
     
DO4 DO5 DO6 DO7  
 
 

 

 


 
 

 


Рис. 12. Организация ОЗУ 16х8 (16 байт) с помощью двух ИМС К155РУ2

 

 

Ячейкой ДИНАМИЧЕСКОЙ памяти является емкость p-n-перехода полевого транзистора. Поэтому, такая память имеет большую информационную емкость на одном кристалле, низкое энергопотребление (5..500 mW) и низкую стоимость. К сожалению, время хранения информации ограничено очень малым значением времени из-за токов утечки p-n-перехода (1 mS), поэтому требуется постоянная циклическая перезапись информации. Этот процесс называется регенерацией и требует специальных контроллеров динамической памяти.

Рис. 13. Запоминающая ячейка динамического ОЗУ

 

Режим хра­нения обеспечива-ется периодиче­ской регенерацией заряда емкости CGS с частотой около сотни герц. В процессе регенерации уменьшение заряда на емкости CGS компенсиру­ется усилителем регене-ратором.

Всвязи с большими объемами памяти требуется значительное число выводов микросхемы под адресные разряды, что приводит к увеличению размеров корпуса. Для предотвращения этого в таких микросхемах адрес вводится в два этапа, сначала адрес строки, затем адрес столбца. Существуют микросхемы памяти в которых ввод адреса осуществляется в три или четыре этапа.

 

 

A0 RAMD D0 чтение

A1 данных

A2 DI запись

A3 данных

A4 WR

A5 D0

A6 CAS

RAS RAS

CAS

WR адрес адрес адрес адрес

A0-A6 строки столбца строки столбца

DI

 

 

Рис.14. ИС динамической памяти К565РУ3 со структурой 16К х 1 и временная диаграма ее режимов работы

 

Динамические полупроводниковые ЗУ с произвольной выборкой имеют высокий уровень интеграции и быстродействия, низкую стоимость и поэтому находят широкое применение в микропроцессорных вычислительных системах.

 

Некоторые виды ОЗУ имеют в ЭВМ специальное назначение и называется СВЕРХОПЕРАТИВНЫМ ОЗУ (СОЗУ). СОЗУ - это ОЗУ, быстродействие которого соизмеримо с быстродействием микропроцессора и служит для временного хранения информации, необходимой для выполнениня некоторой последовательности текущих действий. Например, внутренние регистры микропроцессора образуют СОЗУ.

Как правило быстродействие достигается построением таких ОЗУ по принципу регистров. РЕГИСТРОВОЕ ЗУ - это ЗУ малой информационной емкости, обладающее сложной системой управления записью-считыванием информации для ускорения прохождения данных.

Иногда при обмене между внешними устройствами требуется сохранять информацию, которая выходит из передатчика и не успевает достичь приемника. Для этого служит БУФЕРНОЕ ЗУ (БЗУ), которое предназначено для промежуточного хранения информации при ее обмене между устройствами, работающими с разной скоростью.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Полупроводниковая или электронная память | Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2013-12-13; Просмотров: 1106; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.