Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Полевые транзисторы





Доверь свою работу кандидату наук!
1500+ квалифицированных специалистов готовы вам помочь

 

Физические принципы, положенные в основу полевых транзисторов, были известны давно, однако их реализация встретила существенные технические трудности. Только в 60-х годах полевые транзисторы начали широко применять в различных областях электроники.

В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители электрического заряда.

Полевые канальные транзисторы имеют существенные преимущества, к которым прежде всего относятся большое входное сопротивление приборов (1010 – 1015 Ом), большая устойчивость к проникающим излучениям (допускается уровень излучений, на 3 – 4 порядка больший, чем для биполярных транзисторов), малый уровень собственных шумов, малое влияние температуры на усилительные свойства.

Полевые транзисторы изготовляют двух типов: с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затвором.

Устройство транзистора с затвором в виде p-n-перехода схематично представлено на рис. 16.25. Основу прибора составляет слаболегированная полупроводниковая пластина p-типа, к торцам которой приложено напряжение Uc создающее ток Ic через сопротивление нагрузки Rн. В полупровод-никовой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда, – стоком. В две противоположные боковые поверхности основной р-пластины вплавлены пластинки типа n. На границе раздела пластин n и р возникают электронно-дырочные переходы. К этим переходам в непроводящем направлении приложено входное напряжение uвх. Значение напряжения uвх можно менять при обязательном сохранении указанной на рисунке полярности. Обычно uвх состоит из двух составляющих: переменного напряжения управляющего сигнала и постоянной составляющей начального смещения, значение которой превышает амплитуду сигнала. Пластины n-типа образуют затвор. При указанной полярности напряжения на затворе вокруг этих пластин образуется слой, обедненный носителями заряда и, следовательно, имеющий малую проводимость. Между обедненными слоями сохраняется канал с высокой проводимостью.



Принцип действия полевого транзистора основан на изменении ширины обедненного слоя при изменении обратного напряжения р-n-перехода. С увеличением напряжения на затворе ширина обедненных слоев увеличивается, а поперечное сечение канала и его проводимость уменьшаются.

Таким образом, изменяя напряжение uвх на затворе, можно менять ток через сопротивление нагрузки Rн и выходное напряжение uвых.

Работу полевого транзистора принято характеризовать зависимостью тока стока Ic от напряжения между истоком и стоком Uc при различных значениях напряжения на затворе Uз. Эта зависимость аналогична анодной характеристике усилительной лампы.

Семейство характеристик полевого транзистора с затвором в виде р-n-перехода изображено на рис. 17. Сначала с увеличением Uc ток Ic нарастает практически линейно. Затем наступает режим насыщения и увеличение Uc не приводит к росту тока. Это объясняется тем, что при насыщении напряженность продольного поля в канале складывается с напряженностью поперечного поля и канал в области стока сужается. Причем чем больше напряженность продольного поля (чем больше Uc), тем больше сужается канал в области стока. Ток при этом остается постоянным. Ток насыщения тем меньше, чем больше напряжение на затворе (обратное напряжение р-n-перехода).

Устройство полевого транзистора с изолированным затвором схематически показано на рис. 18. Основу прибора составляет пластина полупроводника р-типа. На небольшом расстоянии друг от друга в поверхность основной пластины вплавляют донорную примесь. Затем поверхность пластины кремния подвергают термической обработке, в результате чего на ней наращивается тонкий (0,1 мкм) слой диосида, являющегося хорошим изолятором. На слой изолятора накладывают металлическую пластину затвора, перекрывающую области донорной примеси n.

 

Рис. 17. Семейство характеристик полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода Рис. 18. Схематическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором: 1 – исток; 2 – затвор; 3 – сток; 4 – металл; 5 – диэлектрик; 6 – канал n-типа; 7 – полупроводник р-типа

 

Транзисторы с изолированным затвором чаще называют транзисторами типа МДП (металл – диэлектрик – полупроводник). Упрощенно принцип его работы можно представить следующим образом: при отсутствии напряжения на затворе области и истока и стока разделены непроводящей прослойкой основной пластины; при подаче на затвор положительного напряжения электроны вытягиваются из основной пластины и скапливаются под изолирующей прослойкой. При определенной разности потенциалов концентрация электронов под диэлектриком превысит концентрацию дырок и области и будут соединены проводящим электронным каналом.

В рассмотренном случае проводящий канал между истоком и стоком индуцируется напряжением затвора. Разновидностью МДП-транзисторов являются конструкции, при которых канал «встраивается» в процессе изготовления прибора путем введения соответствующих примесей. Напряжение затвора меняет концентрацию носителей и проводимость встроенного канала.

Полевые транзисторы могут быть изготовлены и на основе пластин n-типа.

Поможем в написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой




Дата добавления: 2013-12-13; Просмотров: 574; Нарушение авторских прав?;


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2022) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.021 сек.