Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Гибридные интегральные микросхемы




Интегральные микросхемы (ИМС)

Тиристоров

Предельные эксплуатационные характеристики

1) Uобр.пmax – повторяющееся импульсное обратное напряжение (допустимое постоянное обратное напряжение).

2) Iocmax – максимальный постоянный ток в открытом состоянии.

3) Iос импmax –импульсный (ударный) ток в открытом состоянии.

4) I2t – защитный показатель (определяет мощность плавного предохранителя, обеспечивающего исправность прибора).

5) Руиmax- максимальная импульсная рассеиваемая мощность управления.

6) Ру ср max – максимальная средняя (постоянная) рассеиваемая мощность управления.

7) Iуи nax – максимальный импульсный ток управления.

8) Тп – диапазон рабочих температур перехода.

 

 

Интегральная микросхема - микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигналов и имеющее высокую плотность упаковки в едином корпусно-технологическом исполнении электрически соединённых элементов и кристаллов.

Классификация ИМС:

а) по степени интеграции (малой, средней, большой, сверхбольшой);

б) по технологии изготовления (полупроводниковые, гибридные, пленочные);

плёночные ИМС, в которых элементы и соединения выполнены в виде плёнок. Они подразделяются на тонкоплёночные (толщина плёнки до 1 мкм) и толстоплёночные (толщина плёнки более 1 мкм);

в) по функциональному назначению (аналоговые, цифровые(логические)).

Гибридные ИМСмикросхемы выполненные в виде пленок, наносимых на поверхность диэлектрического материала и навесных бескорпусных элементов (транзисторов, резисторов и т. д.), прикрепленных к основанию.

Основные конструктивные элементы гибридных ИМС (рисунок):

- изоляционное основание из стекла, керамики или другого диэл. материала (1), на поверхности которого расположены пленочные проводники, контактные площадки, резисторы и конденсаторы(2);

- навесные бескорпусные активные элементы (транзисторы, диоды)(3);

- навесные пассивные элементы в миниатюрном исполнении, которые не могут быть выполнены в виде пленок (конденсаторы большой емкости, дроссели, трансформаторы);

- пластмассовый или металлический корпус(4), служащий для герметизации схемы и крепления выводных лепестков.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2013-12-13; Просмотров: 577; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.01 сек.