Полупроводниковые интегральные микросхемы

Технология изготовления

Конструкция пленочных резисторов, конденсаторов, проводников

Резисторы изготавливают в виде тонкой пленки чистого хрома, нихрома или тантала, нанесенных непосредственно на изоляционную основу. Сопротивление таких резисторов 0,001Ом до 100 КОм. Размеры таких резисторов(1-2) 10^-3 см²

Пленочный конденсатор имеет обкладки в виде тонких пленок из меди, алюминия, серебра или золота. В качестве диэлектрика в конденсаторах применяют пленку из силиката алюминия, титана бария и др. Емкость таких конденсаторов от10^-10 до 10^-4 Ф и размеры 10^-3 до 1 см².

Проводники осуществляют межэлементное соединение с выводными зажимами и выполнят в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля или хрома для обеспечения адгезии к изоляционному основанию.

Для изготовления тонкопленочных элементов используют термическое напыление в вакууме с использованием метода свободной маски. Он основан на экранировании подложки с помощью специальных трафаретов, кроме тех участков, на которые наносят элементы слоя.

Навесные элементы с гибкими выводами присоединяют к пленочной микросхеме пайкой или сваркой.

Плотностью монтажа это количество элементов и компонентов, содержащихся в 1 см³ объема ИМС. У современных гибридных ИМС плотность монтажа до 100 эл/см³.

Полупроводниковой ИМС называется ИМС в которой все активные и пассивные элементы выполняются в виде сочетания неразъемно-связанных p-n – переходов в одном полупроводниковом кристалле. Полупроводниковый кристалл, на поверхности которого и его объеме формируют элементы микросхемы и контактные площадки, играет активную роль.

Технология изготовления.

Для изготовления полупроводниковых ИМС используют пластины кремния толщиной не более 50 мкм и диаметром до 100 мкм. Эти пластины называют подложкой. В ИМС последнего поколения вместо кремния используют арсенид галлия. В основе формирования элементов на подложке лежит планарная технология. Эта технология бывает двух видов: планарно-диффузная и планарно-эпитаксиальная.

Основные конструктивные элементы полупроводниковой ИМС (рисунок)

Дата добавления: 2013-12-13