Иллюстрации к лекциям 21-24

Схема твердотельного лазера с диодной накачкой: 1- полупроводниковый лазер, 2- термоэлектрический холодильник, 3- фокусирующая оптика, 4- кристалл YAG:Nd, 5- акустооптический модулятор, 6- выходное зеркало, 7- коллиматор

АFМ изображение поверхности Si3N4 после обработки 500 F2 UV 25 ns лазерными импульсами с плотностью энергии ~0,6 J/cm2. Типичный размер кристаллитов 100-150 nm и 400-600 nm.

СЭМ структура пленки In толщиной 2,7 мкм до (слева) и после (справа) лазерной обработки YAG:Nd лазер с диодной накачкой.

Зависимость функции распределения Z(n,t) от числа частиц n в различные моменты времени от 0 до 2,5 нс (U/kT0 =15).

Зависимости среднего числа атомов < n > в кристаллите от скорости охлаждения (1 – Fe, 2 – Al, 3 – Ni).

Четыре типа модифицированной поверхности: a - периодические поверхностные структуры (LIPSS) с шагом 530 нм (0,5 Дж/см², воздух, 3000 импульсов), b - микроиглы

(3 Дж/см², вакуум, 10000 импульсов), c - микропирамиды (1 Дж/см², вакуум, 10000 импульсов) и d – концентрические волны (0,7 Дж/см², вакуум, 3000 импульсов).

Полученные двумя различными методами (a,b и c,d) изображения периодических рядов структурированных Co-C пленок после лазерного воздействия.

Моделирование изменения профиля температуры в кремниевой мишени после воздействия МИП.

Величина износа резца по задней кромке в зависимости от вида предварительной обработки инструмента

Дата добавления: 2014-01-04