Плоскостной полупроводниковый диод

Точечный полупроводниковый диод

Пример: точечный германиевый диод (см. рисунок). Тонкая вольфрамовая проволока 1 прижимается к n-германию 2 остри­ем, покрытым алюминием. Если че­рез диод в прямом направлении про­пустить кратковременный импульс тока, то при этом резко повышается диффузия Аl в Ge и образуется слой германия, обогащенный алюминием и обладающий р- проводимостью. На границе этого слоя образуется р-n-переход, обладающий высоким коэффициентом выпрямления.

Благодаря малой емкости контактного слоя точечные диоды применяются в качестве детекторов (выпрямителей) высокочастотных колебаний вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

Пример: плоскостной меднозакисный (куп- роксный) выпрямитель (см. рисунок). На медную пластину с помощью химической обработки наращивается слой закиси меди Сu₂О, который покрывается слоем серебра. Серебря­ный электрод служит только для включения выпрямителя в цепь. Часть слоя Сu₂О, прилегаю­щая к Сu и обогащенная ею, обладает электронной проводимостью, а часть слоя Сu₂О, прилегающая к Ag и обогащенная (в процессе изготовления выпрямителя) кислородом,— дырочной проводимостью. Таким образом, в толще закиси меди образуется запирающий слой с про­пускным направлением тока от Сu₂О к Сu (р→ n).

Распространенными являются также селеновые диоды и диоды на основе арсенида галлия и карбида кремния.

Рассмотренные диоды обладают рядом преимуществ по сравнению с электронными лампами. Они имеют малые габаритные размеры, высокие КПД и срок службы, но очень чувствительны к температуре (рабочий интервал от -70 °С до +120 °С).

Полупроводниковые триоды (транзисторы)

р-n-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойст­вами, но могут быть ис­пользованы также для усиления, а если в схему ввести обратную связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводни­ковых триодов, или транзисторов. Они делятся на точечные и плоскост­ные, причем последние—более мощные. Они могут быть типа р-п-р и п-р-п. Рассмотрим для примера триод типа р-п-р. Рабочие «электроды» триода, которыми являются база (средняя часть транзистора), эмиттер и коллек­тор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводи­мости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов — металлических проводников.

Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение подается на входное сопротивление R_вх, а усиленное — снимается с выходного сопротивления R_вых

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их «впрыскиванием» — инжекцией — в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает кол­лектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора. Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении—пере­менное напряжение. Величина усиления зависит от свойств р-n-переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи Б_к. Обычно R_вых>>R_вх, поэтому U_вых значительно превышает входное напряжение U_вх (усиление может достигать 10 000). Так как мощность переменного тока, выделяемая в R_вых, может быть больше, чем расходуемая в цепи эмиттера, то транзистор дает и усиление мощности.

Дата добавления: 2014-01-04