КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Физические процессы в МДП-структуре
Напряжение затвора создает электрическое поле, проникающее через тонкий (толщиной d=0,03-0,1 мкм) слой диэлектрика в приповерхностный слой полупроводника, где оно изменяет концентрацию носителей. В зависимости от значения напряжения наблюдаются рассмотренные режимы обогащения, обеднения или инверсии.
Рис, 10.2 МДП-структура
Напряжение Uз =U0, при котором в полупроводнике равны нулю напряженность поля, поверхностный потенциал и объемный заряд, называется напряжением нейтрализации. Оно соответствует границе режимов обогащения и обеднения. Пороговым напряжениемUз = Unop, называется напряжение, при котором концентрация электронов в приповерхностном слое равна концентрации акцепторов, что соответствует границе режимов обеднения и инверсии.
Таким образом при Uз < Uo имеет место режим обогащения. При U0<U3 <Unop - режим обеднения, при Uз >Unop - режим инверсии.
Напряжение затвора складывается из напряжения на диэлектрике Uд, напряжения в приповерхностном слое полупроводника fпов и контактной разности потенциалов перехода металл — полупроводник fмпо.
Наиболее широко применяется МДП-структура на кремнии, где диэлектриком служит диоксид кремния, затвором - пленка алюминия.
Дата добавления: 2014-01-04; Просмотров: 452; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |