Характерные черты кристаллической структуры и виды химических связей

SiO2

Si

Рис. 59. Сечение фрагмента электрического микронасоса

В тонкой кремниевой пластине делается матрица отверстий конфигурации, указанной на рисунке. На стороне пластины, где площадь отверстий меньше (на рисунке - снизу) поверхность кремния оксидирована и на диэлектрик нанесен тонкий слой металла Me. Пара электродов полупроводник – металл образует неоднородное и не симметричное в области отверстия поле. В силу малой величины отверстия и толщины диэлектрика напряженность поля получается высокой даже при небольших рабочих напряжениях.

13. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЕНСОРЫ ТЕМПЕРАТУРЫ

Термоэлектрические сенсоры реализуют прямое преобразование теплоты в электрический сигнал и не нуждаются в источниках питания. Создание подобных сенсоров температуры возможно также на основе использования пироэлектрического эффекта.

В основе термоэлектрического преобразования лежит эффект Зеебека (1770-1831), открытый в 1821г. Изучая тепловые эффекты в гальванических устройствах, Зеебек соединил попарно концы двух полукруглых дуг (проводников), изготовленных из висмута и меди. При наличии разности температур между спаями стрелка лежащего рядом компаса отклонялась (рис.1). Отклонение наблюдалось и при других парах металлов.

Рис. 1. Опыт Зеебека

Зеебек назвал наблюдаемое явление термомагнетизмом, но не связал отклонение компасной стрелки с протеканием в таком замкнутом контуре электрического тока.

Термоэлектрическую природу эффекта независимо друг от друга поняли годом позже Фурье и Эрстед; они же предложили первые термоэлементы.

Логичное объяснение природа термоэлектрического эффекта нашла после работ У.Томсона в середине XIX века. Если взять металлическую шину и придать ее концам разную температуру, то от нагретого конца к холодному за счет теплопроводности будет передаваться тепловая энергия (законы Фурье были уже известны). У.Томсон установил, что при этом вдоль проводника возникнет электрическое поле, вызванное градиентом температуры^*).

_______________________________________________________

*) Другие возникающие при этом эффекты, установленные
У. Томсоном, здесь не рассматриваются.

Процесс этот описывается уравнением:

,

где α – абсолютный коэффициент Зеебека, характерный для данного материала.

Это уравнение является основным уравнением термоэлектрического эффекта, связывающим изменение температуры и потенциала вдоль проводника.

Для однородного проводника справедливо:

dV = α dТ.

Для наглядности рассмотрим проводник с неравномерным распределением температуры вдоль его длины (рис. 2).

Рис. 2. Эффект Зеебека в неравномерно нагретом проводнике

Градиент температуры в любой точке проводника определяет и градиент потенциала в этой точке

,

а перепад температуры между произвольными точками, в том числе и между концами проводника, приведет к разности потенциалов между ними.

При этом любые вариации температуры внутри интервала между рассматриваемыми точками на разность потенциалов между ними не влияют.

Для измерения ЭДС между концами провода, к ним надо подключить измерительный прибор. При этом возникнет замкнутый контур. Если щупы прибора выполнены из того же материала, что и исследуемый проводник, то никакой термоЭДС или ток зафиксировать не удастся, даже если между концами проводника есть разность температур (рис. 3А).

Рис. 3. Термоэлектрический контур с одинаковыми (А)

и различными (В) материалами проводов

В этом случае две ветви контура создают токи равной величины, но противоположных направлений, которые скомпенсируют друг друга.

Для выявления термоЭДС необходим контур из двух разных материалов (рис. 3В), в котором появится ток:

Δi₁₂ = i₁ - i₂.

Если контур разомкнуть, то измеряемая разность потенциалов и есть напряжение Зеебека, индуцированное теплом.

Физическое объяснение эффекта достаточно просто. Свободные электроны в металле ведут себя как электронный газ, их кинетическая энергия определяется температурой. В разных металлах количество электронов отличается. При контакте двух металлов происходит диффузия электронов в материал, где исходно их было меньше, и он заряжается отрицательно, а исходно более богатый электронами материал приобретает положительный заряд. В результате процесс диффузии уравновешивается электрическим полем. Если теперь один из контактов нагреть, равновесие нарушается. Таким образом, эффект Зеебека является электрическим по своей природе. Коэффициент Зеебека α присущ данному материалу, равно как и другие его параметры (удельная проводимость, теплопроводность и пр.).

Поскольку для выявления и использования эффекта Зеебека всегда необходимо использовать два разных материала А и В, вводится понятие дифференциального коэффициента Зеебека для термопары α_Т

α_Т = α_АВ = α_А – α_В.

Тогда напряжение на соединении будет равно

dV_AB = α_AB dT или .

В термопаре всегда можно выделить холодный (опорный, эталонный) и горячий спай. Коэффициент Зеебека не зависит от способа реализации спая (сварка, скрутка, спайка) и определяется только природой контактирующих металлов.

Из изложенного ясно, что эффект Зеебека реализует прямое преобразование тепловой энергии в электрическую. Для повышения индуцированного напряжения Джоуль впервые предложил соединять несколько термопар в батарею.

Термопары естественно использовать для измерения температуры. Впервые такое предложение сделал Беккерель в 1826г. Реальные конструкции термопар выполнил Г. Ле-Шателье в 1886г. на основе проводов из платины и сплавов платины с родием; позднее и на основе других материалов.

Функцию напряжения, генерируемого термопарой, от температуры часто аппроксимируют уравнением второго порядка

V_AB = α₀ + α₁T + α₂T² .

Например, для термопары медь (+) – константан (-) уравнение выглядит так:

V_AB = V_T = -0,0543 + 4,094 ·10^-2T + 2,874 ·10^-5T².

Тогда коэффициент Зеебека этой пары принимает вид

α_Т = = 4,094 ·10^-2 + 5,748 ·10^-5T

и является линейной функцией температуры. Иногда его называют чувствительностью термопары.

Термопары относятся к классу относительных датчиков, т.к. напряжение определяется разностью температур спаев. Обычно один спай является опорным (эталонным), его температура поддерживается постоянной и известна, как правило это холодный спай.

В микросистемной технике используют термопары плоской формы и как правило изготовленные одним из способов формирования пленочных слоев. Для повышения чувствительности несколько термопар объединяют в термобатарею (термоэлемент). Проводники термопары могут размещаться в одном или нескольких слоях, разделенных диэлектриком.

На рис. 4 представлен фрагмент конструкции датчика расхода газа, в котором о скорости газового потока судят по перепаду температуры (принцип работы такого расходометра рассмотрен в разделе 5.2).

Рис. 4. Сенсор перепада температуры в газовом потоке

Сенсор перепада температуры здесь содержит две последовательно включенные термопары. Они расположены на основании, выполненном на тонкой консольной балке, сформированной химическим травлением кремниевой подложки датчика. Такая конструкция использована с целью уменьшения влияния температуры подложки на сенсор перепада температуры в газовом потоке и уменьшения тепловой инерции устройства.

В микросистемных устройствах на кремнии естественно использовать этот материал как один из проводников термопары в монокристаллической или поликристаллической форме. Следует отметить, что коэффициент Зеебека в полупроводниках сильно зависит от их легирования. В частности, для монокристаллического кремния n-типа при комнатной температуре коэффициент Зеебека определяется формулой

,

где ρ₀ ≈ 5 ·10⁶ Ом·м и m ≈ 2,5 – константы;

К – постоянная Больцмана; q - заряд электрона.

Значения коэффициента Зеебека для кремния в монокристаллической и поликристаллической форме по отношению к меди при комнатной температуре приведены в таблице 1.

Таблица 1

Коэффициенты термоЭДС Si по отношению к Cu при t⁰ = 25⁰C

Материал	αАВ, мкв/к
p – Si	10^2 10^3
p – поли Si	10^2 5 · 10^2
n – Si	-10^2 10^3
n – поли Si	-10^-2 5 · 10^2

При подключении термопары к интерфейсной измерительной схеме следует соблюдать осторожность в выборе материалов. В частности, такой вход измерительной схемы всегда должен использовать идентичные проводники. Поскольку термоЭДС при малых перепадах температуры обычно невелики, необходимо также соблюдать меры по предотвращению помех.

Контрольные вопросы.

1. В чем суть принципиальных отличий активных и пассивных сенсоров температуры?

2. Эффект Зеебека; трактовка его физической природы в исторической ретроспективе.

3. Термопары и термобатареи – возможности их использования для измерения температуры и других целей.

4. Реализация термоэлектрических сенсоров в МСТ: характерные черты конструкций, технологии и применяемых материалов.

2. РЕЗИСТИВНЫЕ СЕНСОРЫ ТЕМПЕРАТУРЫ

Физические свойства материалов и параметры выполненных их них деталей в той или иной степени зависят от температуры и несут таким образом информацию о её величине. Для извлечения этой информации необходимы дополнительные устройства, в связи с чем такие сенсоры и датчики на их основе относятся к числу пассивных.

Зависимость сопротивления металлов от температуры R(T) впервые заметил Х. Дэви в 1821г., а в 1871г. В. Сименс сделал первый резистивный термометр из платиновой проволоки. Сейчас существует большое разнообразие резистивных датчиков температуры. В микросистемной технике используют тот же принцип, т.е. измеряют зависимость сопротивления от температуры, только резисторы берут обычно пленочные или полупроводниковые. Их достоинствами являются высокая чувствительность, простой интерфейс, долговременная стабильность.

Рассмотрим сначала датчики на основе металлических пленок. Зависимость R(T) наблюдается у всех металлов, но не все используют в качестве основы для сенсоров. Известно, что электрические свойства материалов в тонких слоях сильно отличаются от объемных и зависят также от способа изготовления пленки. Поэтому, круг материалов, используемых для изготовления сенсоров, ограничен наиболее изученными и стабильными. Среди металлов это платина (при измерениях температуры до 600⁰С) и молибден - при измерениях более высоких температур.

Конструкция резистивного сенсора температуры является типичной для пленочных схем (рис. 5). Подложкой является диэлектрик (ситалл, керамика) или кремний, покрытый диэлектрической пленкой окиси SiO₂ или нитрида кремния Si₃N₄. В плане структура может быть линейной (А) или иметь форму меандра для повышения сопротивления за счет увеличения отношения длины к ширине резистора (В).

Величина сопротивления определяется выражением

R = R□ ,

где R□ - сопротивление квадрата пленки, для платины лежит в пределах 100 1000 Ом/□ в зависимости от толщины материала.

Рис. 5. Структура тонкопленочного терморезистора:

А – линейного; В – типа «меандр»

Функция изменения сопротивления от температуры обычно апроксимируется линейной зависимостью вида

R = R₀ [1 + α (t – t₀)],

где R₀ – значение сопротивления при эталонной (например, комнатной) температуре; α – температурный коэффициент сопротивления (ТКС).

Для расчетов в более широком диапазоне температур иногда используют полиномиальную зависимость второго порядка. Например, для платинового проволочного сенсора справедливы следующие аппромаксимации:

R = R₀ (1+36,79 ·10^-4 Δt)

или

R = R₀ (1+36,79 ·10^-4 Δt – 5,8·10^-7 Δt²).

Наряду с металлопленочными резисторами в изделиях МСТ могут применяться термисторные сенсоры, т.е. резисторы специально изготовленные из керамических полупроводников с большими значениями ТКС. Если в традиционной электронике термисторы изготавливаются в виде самостоятельных изделий в формах диска, капли, трубки, пластины и т.п., то в МСТ они получаются методами толстопленочной электроники на достаточно термостойкой подложке (например, керамике). Термисторы получают спеканием нескольких оксидов из ряда следующих металлов: никель, марганец, кобальт, титан, железо. При этом можно получить элементы в широком диапазоне сопротивлений от единицы Ом до многих МОм как с положительным, так и с отрицательными ТКС. Поскольку зависимости сопротивлений от температуры существенно нелинейны, их аппроксимируют нелинейными уравнениями. В частности, нередко используют выражение

R_t = R_t0 e ^{-β (1/T – 1/T}₀ ⁾,

где Т₀ – калибровочная температура в К; R_t0 – значение сопротивления при температуре калибровки; β – характеристи-ческая температура материала в К.

Обычно β составляет 3000 – 5000 К.

В изделиях МСТ естественно использовать также накопленный в микроэлектронике опыт проектирования и изготовления в качестве датчиков температуры полупроводниковых кремниевых резисторов.

Проводимость полупроводников (и, в частности, кремния) определяется двумя главными факторами: концентрацией носителей заряда и их подвижностью. Оба эти параметра существенно меняются при колебаниях температуры. Рассмотрим качественно суть этих изменений.

В собственном полупроводнике при фиксированной температуре проводимость определяется наличием электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Это количество увеличивается с ростом температуры, что и обуславливает отрицательный ТКС полупроводника. В примесном полупроводнике проводимость в основном определяется концентрацией легирующих примесей и их характером. Избыточную (по отношению к собственной) концентрацию электронов создает донорная примесь, избыток дырок обеспечивают акцепторы. В широком диапазоне температур все примесные атомы активированы. Концентрация примесных носителей зарядов практически постоянна и преобладает над собственной. Практический температурный предел работоспособности полупроводниковых приборов чаще всего определяется тем фактом, что нарастающая с ростом температуры генерация собственных носителей заряда вначале сравнивает их концентрацию с концентрацией примесных, а затем становится преобладающей. Для кремния эта область “конкуренции” примесной и собственной концентраций лежит в районе 200 ⁰С.

Не менее сложной является картина влияния подвижности на температурную зависимость проводимости полупроводника. Она определяется характером рассеяния носителей заряда. В области очень низких температур (обычно за пределами традиционного температурного диапазона работы аппаратуры) подвижность носителей определяется механизмом их рассеяния на ионизированных примесях. При этом подвижность пропорциональна Т^3/2, т.е. нарастает с повышением температуры. При более высоких температурах (в том числе и обычных “рабочих” температурах устройств) начинает преобладать рассеяние носителей на тепловых колебаниях решетки (фононное рассеяние) и зависимость подвижности от температуры пропорциональна Т ^-3/2.

Таким образом, при различных выборах материалов и в разных температурных диапазонах температурный коэффициент сопротивления кремния может быть как положительным, так и отрицательным. Для грубой ориентировки можно считать, что при температурах ниже 200 ⁰С температурный коэффициент кремниевых резисторов будет иметь положительное значение, а при t > 200 ⁰С – отрицательное.

В диапазоне температур –50+150 ⁰С типичная чувствительность кремниевого резистивного сенсора составляет 0,7% / ⁰С, а его параметры можно аппроксимировать полиномом второго порядка

R_T = R₀ (1+AΔt + BΔt²),

где R₀ – значение сопротивления резистора в эталонной точке, Δt – значения отклонений температуры от нее.

О порядке величин коэффициентов А и В можно судить по их значениям в типичном датчике температуры KTY-81:

А = 7,87 ·10^-3 К^-1, В = 1,874 ·10^-5 К^-2

в диапазоне температур -55 +150 ⁰С.

Использование резистивных сенсоров в датчиках температуры имеет характерную особенность. Поскольку такой сенсор не вырабатывает информационный сигнал самостоятельно, для измерения его сопротивления приходится пропускать ток от измерительного устройства. Этот ток вызывает саморазогрев резистивного сенсора, что увеличивает погрешность измерений. Отсюда следует, что необходимо использовать измерительные схемы, требующие минимальных значений протекающего через сенсор тока, в частности, эти схемы обычно используют очень низкие значения напряжений питания.

Наиболее часто для измерений сопротивления в резистивных сенсорах используют потенциометрические и мостовые схемы.

Конструктивная реализация полупроводниковых резистивных сенсоров температуры допускает любой конструктивно-технический вариант выполнения, используемый в микроэлектронике. Типичные структуры приведены на рис. 6.

Рис. 6. Однополосковые структуры интегральных терморезистивных сенсоров:

а) равномерно легированный эпитаксиальный терморезистор с мезаструктурой; б) равномерно легированный терморезистор с окисной изоляцией; в) диффузионный терморезистор; г) ионно-имплантированный терморезистор;

1 – терморезистор; 2 – защитное покрытие;

3 – металлизированные токоведущие дорожки;

4 – подложка; 5 – сильнолегированная подконтактная область.

Контрольные вопросы.

1. Конструктивно-технологические основы реализации резистивных сенсоров температуры на основе пленочных структур.

2. Физическая природа зависимости сопротивления полупроводниковых материалов от температуры и возможности её использования для создания температурных сенсоров.

3. Основные варианты конструктивно-технологической реализации резистивных сенсоров на основе полупроводниковых материалов.

4. Особенности использования пассивных резистивных сенсоров температуры в схемах фиксации изменений сопротивлений.

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЕНСОРЫ ТЕМПЕРАТУРЫ

Характеристики полупроводникового р-n – перехода в диодах и биполярных транзисторах сильно зависят от температуры. Эти зависимости можно использовать для измерения температуры, главная трудность при этом – линеаризация характеристики сенсора [3].

Вольт-амперная характеристика р-n перехода описывается выражением:

I = I₀ eхр,

где I₀ – ток насыщения перехода, значение которого также зависит от температуры.

Если задавать ток I через переход, то напряжение на нем можно представить в виде:

V = (ln k – ln I),

здесь Е_q - ширина запрещенной зоны кремния, при Т=0;

q – заряд электрона; k – константа.

Отсюда видно, что если фиксировать ток I, напряжение на переходе будет линейно зависеть от температуры, причем наклон этой зависимости определяется выражением:

b = (ln k – ln I).

Соответствующие графики представлены на рис.7.

Рис.7. Зависимость напряжения от температуры прямосмещенного кремниевого перехода при постоянном токе

Таким образом, любой прямосмещенный диод, запитанный от источника постоянного тока, можно использовать как чувствительный элемент датчика температуры, измеряя снимаемое с него напряжение. Подобный датчик можно получить используя биполярный транзистор (рис.8).

Рис. 8. Простейшие сенсоры температуры на

полупроводниковом диоде (А) и биполярном транзисторе (В)

Но наибольшее распространение нашли датчики температуры на основе использования напряжения база – эмиттер биполярного транзистора [3], которое определяется выражением:

V_БЕ = ,

где I_C - ток коллектора, I_S - тепловой ток коллекторного перехода.

Возьмем N+1 совершенно одинаковых транзисторов и все (кроме одного) соединим параллельно, согласно рис. 9 (обычно такие транзисторы выполняются на одном чипе).

Зададим в N транзисторах суммарно тот же ток коллектора I_C, что и в одиночный транзистор, тогда разность напряжения база – эмиттер одиночного и группы транзисторов составит:

DV_БЕ = V_БЕ – V_N = .

Таким образом, разность напряжений DV_БЕ пропорциональна абсолютной температуре.

Рис.9. К сравнению напряжений V_БЕ одиночного и V_N группы транзисторов

На этом принципе можно построить множество практических схем измерения температуры. Как пример, рассмотрим так называемую ячейку Брокау (рис.10).

Рис. 10. Ячейка Брокау (А) и цепочка резисторов в эмиттерах транзисторов (В)

Транзистор VT2 составлен из N параллельно включенных транзисторов, идентичных транзистору VT1. Разность потенциалов эмиттеров транзисторов выделяется на резисторе R₂, через него же течет ток эмиттера VT2. Очевидно,

I_E2 = .

Коллекторные токи I₁ и I₂ поддерживаются одинаковыми за счет отрицательной обратной связи через операционный усилитель. Рассмотрим цепочку в эмиттерах транзисторов (рис. 10, В). Через резистор R₁ протекает ток обоих транзисторов, поэтому

2IR₁ = V_T, далее

IR₂ = ΔV_БЕ .

Приравняв токи, получим

,

откуда, используя полученное ранее выражение для ΔV_БЕ , имеем

.

Существует множество разновидностей подобных схем, рассмотренных, например, в [3].

Контрольные вопросы.

1. Физические основы и возможности реализации сенсоров температуры на базе p-n-перехода (диода) и биполярного транзистора.

2. Принцип действия датчиков температуры на основе измерения напряжения между базой и эмиттером в биполярных транзисторах.

3. Датчик температуры на основе ячейки Брокау.

4. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ

Пьезоэлектрический эффект состоит в том, что под действием механического напряжения или деформации в кристалле возникает электрическая поляризация, величина и знак которой зависят от приложенного напряжения. Обратный пьезоэлектрический эффект – это механическая деформация кристалла, вызванная приложенными электрическими силами, причем величина и тип деформации зависят от величины и направления приложенного поля. При этом электрическое поле может характеризоваться вектором электрической поляризации Р, электрической индукции D или напряженностью электрического поля Е, а действующее на кристалл механическое усилие – тензором механического напряжения Т_ij или тензором деформации δ_ij. В общем случае связь между ними описывается уравнением

P_i = d_ijk T_jk,

где d_ijk – тензор пьезоэлектрических модулей, характеризующий анизотропные пьезоэлектрические свойства кристалла.

Очевидно, что свойства пластин пьезоэлектрического материала, вырезанных из кристалла с различной ориентацией относительно его кристаллографических осей (так называемых “срезов”) могут сильно отличаться. На рис. 11 представлены некоторые из практически используемых срезов кварца, предназначенных для разного целевого использования [4].

Рис. 11. Кристаллографические срезы в кристалле кварца и их технические обозначения

Пьезоэлектрический эффект был открыт братьями Кюри в 1880г. в кварце. Позднее было установлено, что он характерен только для кристаллов с определенными типами симметрии (в кристаллах 11 классов симметрии из 32 известных он не наблюдается). В частности, самые популярные полупроводники (германий, кремний, алмаз) не обладают пьезоэффектом. В то же время он есть у арсенида галлия, окиси цинка и некоторых других полупроводниковых и полимерных материалов.

Первым применением пьезоэлектрического эффекта считается использование его с целью возбуждения механических колебаний в воде и приема таких колебаний для гидролокации (Ланжевен, 1917г.). Но наибольшее распространение в радио- и измерительной технике получило использование пьезоэффекта для стабилизации частоты электрических колебаний (кварцевые стабилизаторы частоты). Суть в том, что механические колебания кварцевой пластины могут иметь значительно более высокую стабильность (малый температурный коэффициент частоты колебаний) по сравнению со стабильностью колебаний частотозадающих устройств, выполненных на традиционных компонентах (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности или другие активные элементы). Эта стабильность кварцевых резонаторов может быть многократно повышена правильным выбором срезов кварца (традиционно это АТ- и ВТ-срезы). Поэтому, в качестве частотозадающего элемента в автогенераторах радиоустройств или часах используют «кварц» - в простейшем случае это прямоугольная пластина, вырезанная из кристалла кварца с двумя нанесенными на противоположные грани электродами. Обычно используется режим резонанса механических и электрических колебаний, причем частота и стабильность их обеспечивается кварцем. Такие системы обладают также высокой добротностью (порядка 10⁶).

Исследования показали, что можно получить срезы кварца, в которых частота колебаний зависит от температуры, причем эта зависимость близка к линейной и, что самое главное, характеризуется высокой воспроизводимостью параметров. Такие кварцы естественно использовать в качестве сенсоров температуры, выходным параметром которых является частота электрических колебаний.

Первый пьезоэлектрический кварцевый датчик температуры был реализован на основе кристалла с Y срезом с чувствительностью 35 ·10^-6 [Δf/f· ⁰C] в диапазоне температур - 80⁰ +230 ⁰С при точности калибровки 0.02 ⁰С. Возможна также реализация датчиков с большей чувствительностью (но худшей линейностью) на других срезах (например, LC) или использующих более сложные колебания пластин (изгибные или торсионные). Недостатком пьезоэлектрических датчиков является достаточно большая тепловая инерция.

Контрольные вопросы.

1. Пьезоэлектрический эффект, его физические основы и возможности использования.

2. Кристаллографические срезы кварца различной ориентации и возможности их использования, в частности, для стабилизации частоты.

3. На чём основано использование кристаллов кварца для создания датчиков температуры?

5. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СЕНСОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ В КОМБИНАЦИИ С ДРУГИМИ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ

5.1. Каталические сенсоры концентрации газов

Как отмечалось во введении, в некоторых комбинированных сенсорных преобразователях в качестве промежуточного этапа преобразований используется сенсор температуры. Так, для измерения концентрации содержащихся в воздухе некоторых легкоокисляющихся веществ (пары бензина, спиртов, эфиров, водорода, метана и пр.) используются каталические сенсоры. Они содержат развитую поверхность, покрытую тонкой пленкой катализатора (платина, палладий), в присутствии которого происходит окисление (сгорание) вещества, концентрация паров которого измеряется. Сгорание сопровождается выделением тепла и нагревом поверхности. Таким образом, измеряя температуру можно судить о концентрации измеряемой примеси в воздухе.

На рис. 12 приведена структура интегрального каталического сенсора водорода [5]. Измерение температуры в нем осуществляется по изменению напряжения эмиттер – база в биполярном транзисторе (принцип таких измерений рассмотрен в разделе 3).

Таким образом, в сенсоре реализуется цепочка преобразований N – Q – T– U,

где N – концентрация примеси, Q – теплота, Т – температура, U – напряжение.

Рис. 12. Интегральный кремниевый сенсор водорода:

1 – коллектор; 2 – пиролитическая SiO₂ (0,6мкм);

3 – контакты к базе Al; 4 – контакты к эмиттеру; 5 – слой Al₂O₃ (0,1мкм); 6 – Pd-катализатор (0,02мкм).

Сенсор выполнен на кремниевом чипе. Это позволяет использовать весь арсенал типовых технологических процессов микроэлектроники при его изготовлении. Использование анизотропного травления кремния позволяет выполнить всю активную структуру на тонкой диафрагме, что уменьшает ее массу и теплоемкость. В результате повышается чувствительность и быстродействие (сокращается время протекания инерционных тепловых процессов).

5.2. Тепловые расходомеры

Для измерения расхода жидкости или газа, протекающих по трубе, необходимо знать среднюю скорость потока и его сечение. Традиционные методы измерения расхода, основанные на использовании подвижных элементов (поршни, турбины и т.д.) неэффективны при малых расходах и плохо поддаются миниатюризации.

Если в некоторой точке потока установить нагревательный элемент, то распределение температуры в его окрестностях будет зависеть от скорости потока V (рис. 13).

Рис.13. Канал газового потока с нагревателем Р в нем (А) и распределение температуры в канале (В)

При нулевой скорости потока распределение температуры симметрично с максимумом, совпадающим с положением источника тепла. При конечной скорости потока положение максимума сохраняется, а кривая распределения температуры «перекосится», так как набегающий «холодный» поток снизит температуру слева от нагревателя и повысит ее справа за счет нагрева. Таким образом, перепад температуры ΔТ между двумя точками, расположенными слева и справа относительно нагревателя несет информацию о скорости потока.

Конструкции тепловых расходомеров несколько различаются в зависимости от принятого способа измерения температуры (рис. 14).

В структуре, представленной на рис. 14, А измерение температуры производится с помощью терморезисторов (1) расположенных симметрично относительно нагревателя (2) и включенных в мостовую схему измерений. И нагреватель (тоже резистивного типа) и терморезисторы выполнены на тонкой мембране, полученной анизотропным травлением кремния, ориентированного в плоскости (100). Использование мембраны позволяет существенно снизить теплоемкость структуры и повысить скорость ее реагирования на изменение расхода. Кроме того, тонкая мембрана уменьшает нежелательную тепловую связь через подложку между нагревателем и терморезисторами. Тем не менее, для дальнейшего уменьшения этой связи, источник тепла формируется на консоли (рис. 14, В), что позволяет повысить чувствительность расходомера.

Рис. 14. Кремниевые тепловые сенсоры расходомеров:

А – на диафрагме; В – консольного типа; 1 – терморезистор;

2 – нагреватель; 3 – пленочные проводники; 4 – диафрагма;

5 – консоль.

Другой вариант конструкции расходомера получается, если для измерения температуры использовать термопару или термобатарею. Это возможно и в структурах, представленных на рис. 14, с заменой терморезисторов на термопары. Ранее (рис. 4) приводился вариант структуры, в котором проводники термопары располагались вдоль направления вектора скорости измеряемого потока; холодный и горячий спай теплопары реагирует на перепад температуры потока в точках, расположенных слева и справа от источника тепла (на рисунке не показан).

Для нормальной работы тепловых расходомеров обычно достаточно маломощных источников тепла, обеспечивающих максимальный перегрев жидкости (газа) в области нагревателя в несколько десятков градусов относительно исходной температуры потока.

Тепловые расходомеры обеспечивают широкий диапазон измерений, высокую чувствительность, не содержат подвижных элементов и очень малогабаритны.

5.3. Акселерометры с нагревом газа

Акселерометры предназначены для измерения изменяющейся скорости (ускорения) и обычно строятся по схеме сейсмографа, т.е. содержат инертную массу, закрепленную в корпусе на упругом подвесе. При изменении скорости корпуса происходит деформация подвеса (поскольку инертная масса запаздывает с изменением скорости по сравнению с корпусом) и эта деформация несет информацию об изменении скорости объекта. В акселерометре с нагревом газа в качестве инертной массы используется неравномерно нагретый газ, заключенный в герметичный корпус. Принцип работы такого акселерометра поясняет рис. 15.

Газ

Рис. 15. Структура акселерометра с нагревом газа:

1 – нагреватель; 2 – измеритель температуры;

3 – диафрагма-подложка.

На дне герметичной полости, заполненной газом, расположена тонкая подложка, в центре которой размещен нагреватель. Если корпус прибора неподвижен, над нагревателем формируется симметричный факел нагреваемого газа. Неравномерность нагрева приводит к тому, что и плотность газа также распределена по объему неравномерно, но симметрично.

Если теперь корпус прибора изменяет скорость в горизонтальной плоскости и получает ускорение а, то произойдет перераспределение газа по объему, а именно, более холодный (и плотный) будет прижиматься к стенке противоположной направлению вектора ускорения. Таким образом, размещая на подложке в горизонтальной плоскости, по оси Х и Y попарно и симметрично относительно нагревателя измерители температуры, можно по «перекосу» температуры судить об изменении скорости прибора в соответствующих направлениях.

Существенным преимуществом таких акселерометров, по сравнению с традиционными, является их высокая стойкость к большим (в десятки тысяч g) перегрузкам. Недостатки связаны в первую очередь с инерционностью тепловых процессов, а также с непредсказуемой реакцией прибора на хаотическое изменение его положения в пространстве.

На основе измерения температуры могут строиться также датчики излучений, влажности и другие приборы.

Контрольные вопросы.

1. Представьте и проанализируйте цепочку преобразований, реализуемых в каталических сенсорах концентрации газов.

2. Проанализируйте особенности конструкций и технологии изготовления микроэлектронных сенсоров концентрации газов.

3. Поясните принцип действия и особенности реализации тепловых расходомеров.

4. Поясните физические основы и возможности реализации акселерометров, использующих нагрев газа.

6. БЕСКОНТАКТНОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ

6.1. Тепловое излучение

Измерение температуры нагретого тела на расстоянии основано на приеме лучистой энергии, излучаемой его поверхностью. Известно, что любое тело, температура которого отличается от абсолютного нуля, является источником электромагнитного излучения. Это связано с тепловым движением зарядов в веществе. Все тела обладают также способностью поглощать лучистую энергию. Излучение нагретых тел охватывает длины волн порядка 0,3 – 100 мкм. Поскольку глаз человека чувствителен, в основном, к лучам в интервале длин волн 0,4 – 0,7 мкм, то большая часть теплового излучения лежит за пределами видимой части спектра и относится к так называемому инфракрасному излучению.

Элемент поверхности абсолютно черного тела испускает лучи во всех направлениях. Количество тепла, излучаемого единицей поверхности в единицу времени называется излучательной или лучеиспускательной способностью Е. Иногда ее называют также плотностью полусферического излучения.

Тепловое излучение тела всегда содержит лучи с разной длиной волны. Для того, чтобы иметь возможность изучать распределение энергии излучения по длинам волн, вводят понятие спектральной интенсивности излучения, которая определяется как излучательная способность тела для интервала длин волн dλ:

E_λ = dE / dλ.

Исследуя распределение теплового излучения по длинам волн, Макс Планк пришел к своей знаменитой квантовой теории (1900г.).

Закон Планка для спектральной интенсивности теплового излучения абсолютно черного тела имеет вид:

,

где индекс «0» присвоен абсолютно черному телу;

С₁ = 2πhc² = 0,374 · 10 ^-15 Вт · м² – первая постоянная Планка;

С₂ = 2hС/k = 1,4388 · 10⁴ мкм · К – вторая постоянная Планка;

h = 6,625 · 10^-34 Дж · с – универсальная постоянная Планка;

с = 2,9979 · 10⁸ м/с – скорость света в вакууме;

k = 1,380 · 10 ^-23 Дж/К – постоянная Больцмана; λ – длина волны;

Т – абсолютная температура.

Этот закон хорошо подтверждается экспериментально и дает наиболее общую характеристику излучения.

Графически зависимость dE_{λ 0} / dλ представлена на рис. 16.

Рис. 16. Зависимость интенсивности теплового излучения от длины волны и температуры

Как видно, абсолютно черное тело излучает при любой температуре в широком диапазоне волн. С возрастанием температуры максимум излучения смещается в сторону более коротких волн. Это явление описывается законом Вина:

λ_макс = 2898/Т [мкм, К],

который легко получить на основании анализа максимума распределения E_λ0. Видимая часть спектра на рис. 16 расположена слева, т.е. тепловое излучение, максимум которого находится в области более длинных волн, обычно невидимо. Только при температурах тела 700 – 800 °С человеческий глаз начинает воспринимать темно-красное свечение, когда несколько увеличивается доля энергии в видимой части спектра. Даже при Т = 3000 К, соответствующей температуре вольфрамовой нити горящей электрической лампочки, видимая часть излучения составляет малую долю полной лучистой энергии. Только при температуре порядка 5500 К, соответствующей температуре поверхности Солнца, максимум излучения лежит в видимой части спектра.

Закон Планка позволяет определить интенсивность излучения, отнесенную ко всему спектру, т.е. излучательную способность абсолютно черного тела. Для этого E_λ0 надо проинтегрировать по всем длинам волн:

∞

Е₀ = ∫ E_λ0 dλ = σT⁴,

⁰

где σ = 5,6687 · 10^-8 Вт/м² · К⁴ – постоянная Стефана-Больцмана.

Таким образом,

Е₀ = σT⁴ ,

т.е. излучательная способность абсолютно черного тела пропорциональна четвертой степени абсолютной температуры (закон Стефана-Больцмана). Этот закон опытным путем установлен Стефаном (1879г.) и теоретически обоснован Больцманом (1881г.) еще задолго до работ Планка.

Уже отмечалось, что все реальные тела имеют излучательную способность меньшую, чем у абсолютно черного тела. Кроме того, эта способность может описываться зависимостями от температуры и длины волны, отличающимися от установленных для абсолютно черного тела. Твердые тела, обладающие шероховатой поверхностью, имеют, как правило, сплошной спектр излучения, мало отличающийся от спектра излучения абсолютно черного тела. Если эти спектры подобны, то реальное тело называют серым. С некоторым приближением большинство реальных тел можно рассматривать как серые.

Для количественной характеристики излучательной способности реальных тел введено понятие степени черноты тела

ε = Q/Q₀ = E/E₀ ≤ 1,

тогда для реального тела

Е = εσT⁴ = εС₀ (Т/100)⁴,

где С₀ = 5,6687 Вт/м²· К⁴.

Степень черноты тела ε лежит в пределах 0 – 1. Значения ε, как правило, устанавливаются опытным путем.

Таким образом, регистрируя энергию излучаемую нагретым телом и исследуя ее зависимость от длины волны, можно судить о температуре поверхности тела.

6.2. Принцип действия приемников теплового излучения

Принцип действия приемников теплового излучения достаточно прост. Падающие на чувствительный элемент приемника инфракрасные лучи повышают его температуру, что приводит к изменению свойств материала в результате проявления тепловых эффектов, например, рассмотренных ранее термоэлектрического и терморезистивного. Исторически первым измерил тепловое излучение в 1800 г. Гершель, открывший инфракрасные лучи, используя для их обнаружения обычный термометр. Позднее, для детектирования инфракрасного (ИК) излучения стали использовать и другие эффекты, например, пироэлектрический и так называемые газовые термометры (рассмотрены ниже). Чувствительные элементы всех этих приемников реагируют собственно на температуру как результат усреднения кинетической энергии огромного числа колеблющихся частиц. Приблизительно с 1930г. в развитии ИК техники появилось второе направление, основанное на использовании фотонных детекторов, в которых решающую роль играют квантовые свойства излучения и которые охватывают как ИК, так и оптический диапазон волн. В настоящее время эти направления развиваются параллельно, дополняя друг друга, и подробно изложены в [6]. В пособии вопросы фотонного детектирования не затрагиваются.

Простейшая схема теплового приемника представлена на рис. 17. Детектор представлен чувствительным элементом с теплоемкостью С, соединенным тепловой перемычкой, обладающей теплопроводностью G, с теплоотводом, имеющим постоянную температуру Т. В отсутствие внешнего сигнала средняя температура детектора равна Т, причем она флуктуирует около среднего значения. При поступлении излучения на вход приемника повышение температуры можно найти, решая уравнение теплового баланса:

где ∆T – разность температур детектора окружающей среды, обусловленная лучистым сигналом Ф; ε – излучательная способность детектора.

Рис. 17. Тепловая схема детектора

Если предположить, что мощность падающего излучения является периодической функцией

Ф = Ф₀ е^iωt,

где Ф₀ – амплитуда синусоидального сигнала, то решение дифференциального уравнения получим в виде

Первое слагаемое описывает переходный процесс и со временем экспоненциально стремится к нулю, поэтому им можно пренебречь без потери общности решения. Тогда для любого теплового приемника ∆T, обусловленная падающим потоком излучения, запишется как

.

Уравнение поясняет некоторые свойства теплового приемника. Ясно, что необходимо обеспечить как можно большее значение ∆T. Для этого необходимо, чтобы теплоемкость детектора С и его тепловой контакт с окружающей средой (т.е. G) были как можно меньше. Взаимодействие теплового приемника с падающим излучением необходимо оптимизировать, в то время как все другие тепловые контакты с окружающей средой должны быть сведены к минимуму. Это означает, что желательно иметь детектор малой массы и обеспечить минимальную теплопроводность на теплоотвод. Ниже рассмотрены некоторые из способов дистанционного измерения температуры, реализуемые методами МСТ.

6.3. Сенсоры излучения на основе термоэлектрического и терморезистивного эффектов

Рассмотренные ранее способы регистрации температуры и ее изменений, основанные на измерении термоЭДС или вариаций сопротивления материалов при колебаниях температуры, вполне могут быть применены для дистанционного измерения температуры. Поскольку для фиксации сравнительно малых потоков лучистой энергии, т.е. для повышения чувствительности, теплоемкость и масса таких сенсоров должны быть минимальными, то методы микроэлектроники и микросистемной техники для их реализации являются перспективными. Ограничимся рассмотрением нескольких примеров такого подхода. В [6] описана интегральная термобатарея, структура которой представлена на рис. 18, А

Для измерения термоЭДС используется контакт Al/p-Si. Полоски кремния р-типа сформированы в эпитаксиальном слое n-типа, толщиной 10 мкм. Алюминиевые пленочные перемычки связывают концы полосок кремния для формирования батареи, содержащий 44 пары горячих и холодных контактов. Для уменьшения теплоемкости сенсора исходная кремниевая подложка р-типа под батареей удаляется электрохимическим травлением вплоть до его остановки на переходе эпитаксиальный n-слой/р-подложка и образования диафрагмы десятимикронной толщины (рис. 18, Б).

Контакт n⁺-типа является технологическим. Облучаемые горячие спаи батареи покрываются поглощающим слоем. Для уменьшения теплопроводности от горячего спая к массе кристалла край диафрагмы, прилегающий к горячим спаям, удаляется плазменным травлением, так что диафрагма приобретает форму консольно-закрепленной балки.

Термобатареи генерируют ЭДС в ответ на облучение и не требуют тока питания для съема информации, что предотвращает паразитный нагрев и связанные с этим ошибки измерений. Поэтому сенсоры на их основе предпочтительнее для создания матриц больших размерностей и организации тепловизоров. В настоящее время известны опытные образцы тепловизоров с интегральной матрицей сенсоров размерностью до 128х128 элементов, совмещенной с системой считывания на ПЗС структурах.

А

Б

Рис. 18. Схема Al/p-Si термопары в интегральном исполнении (А) и ее поперечное сечение (Б)

Другим сенсором приемников теплового излучения является терморезистор, обладающий большим температурным коэффициентом сопротивления и имеющий малую теплоемкость. Как отмечалось, в отличие от термопары, он требует для регистрации изменения сопротивления источника питания с жесткими требованиями к стабильности тока и напряжения. Практически для регистрации излучения используются болометры, ассортимент которых весьма широк, что связано с необходимостью создания устройств для приема тепловых излучений с разной длиной волны. Как правило, это одиночные приемники, а не элементы матриц. Ограничимся одним примером реализации такого устройства, технология изготовления которого является вариантом поверхностной микрообработки в МСТ. Его конструкция схематически представлена на рис. 19.

Рис. 19. Болометр с вакуумной (воздушной) тепловой изоляцией

Главной конструктивной особенностью структуры является способ тепловой изоляции чувствительного элемента от подложки. Пленочный терморезистор сформирован на тонкой диафрагме (пленке), выполненной обычно из нитрида кремния. Эта диафрагма свободно висит над вакуумной полостью, глубиной до 2,5 микрометров, которая собственно и выполняет задачу тепловой изоляции. Эта полость создается на одном из последних этапов формирования всей структуры за счет удаления заполнявшего объем этой полости так называемого жертвенного слоя. Обычно его роль играет толстый слой окиси кремния, локально сформированный на кремниевой подложке на одном из первых этапов формирования структуры. Окись кремния сравнительно легко удаляется травлением растворами на основе фтористоводородной кислоты даже через узкие капилляры.

Упрощенный вариант изготовления подобной структуры, отличающийся способом нанесения жертвенного слоя, представлен на рис. 20.

В обоих случаях полупроводниковая кремниевая подложка не является пассивной, а содержит компоненты электронной схемы интерфейса для считывания информации с датчиков.

Рис. 20. Вариант технологического процесса формирования сенсора с вакуумной термической изоляцией

В приведенных структурах микроболометры выполнены на диоксиде ванадия. Этот материал достаточно сложен в изготовлении из-за низкой стабильности диоксидов, связанной с обратимым фазовым переходом из металлического в полупроводниковое состояние в диапазоне температур 50 – 70 ^ºС. Но именно благодаря этому он имеет высокий отрицательный температурный коэффициент сопротивления порядка 4% / К, что позволяет получить сенсоры с очень высокой чувствительностью (в литературе приводятся цифры чувствительности порядка 10⁵ В / Вт).

Известны также болометры, использующие переход материала из обычного в сверхпроводящее состояние, однако их использование возможно только при криогенных температурах.

6.4. Пироэлектрические датчики ИК - излучения

Пироэлектричество проявляется в свойстве некоторых диэлектрических кристаллов изменять величину электрической поляризации при изменении температуры. В результате нагревания или охлаждения пироэлектрического кристалла на его гранях появляются электрические заряды. Кристаллы пироэлектрических веществ – это диэлектрики, обладающие спонтанной (самопроизвольной) электрической поляризацией. В таких кристаллах можно выделить домены, имеющие нескомпенсированный электрический дипольный момент

p = ql,

где q – заряд; l – расстояние между противоположными по знаку зарядами.

Если диполи ориентированы одинаково, то кристалл оказывается электрически поляризованным. Поляризация оценивается как сумма дипольных моментов в единице объема. Численно она равна плотности зарядов на противоположных гранях кристалла, нормальных к направлению поляризации. Если кристалл достаточно долго находится при постоянной температуре, то избыточные заряды на его поверхности обычно компенсированы за счет ионов воздуха и утечек и практически не обнаруживают внешне электрической поляризации. Если же температуру кристалла изменить, то происходит анизотропное изменение расстояния между доменами и углов между ними и за счет смещения зарядов диполей в кристалле появляется поляризация вдоль направления, называемого электрической осью. Внешне эффект описывается нелинейным уравнением

∆p = γ₁ ∆T + γ₂ ∆T²,

где γ₁ и γ₂ – коэффициенты пироэлектрического эффекта [Кл/м²К]; ∆T – изменение температуры.

Нередко достаточной аппроксимацией является линейная:

∆p = γ ∆T.

В технике пироэлектрики обычно используются в виде тонких пленок, с противоположных сторон которых нанесены электроды для зарядов. В модельном представлении это соответствует конденсатору, электрически заряжающемуся от потока тепла. Такой датчик является активным, т.е. он сам генерирует заряд и напряжение, несущее информацию об изменении температуры (в отличие от термоэлектрических устройств, которые регистрируют разность температур). Естественно, что необходима интерфейсная схема, регистрирующая изменение заряда (напряжения), пропорционального ∆T.

Можно показать, что при представлении модели пироэлектрического датчика конденсатора изменение напряжения ∆V на нем при отклонении температуры ∆T связаны соотношением

,

где С – емкость датчика; S – площадь перекрытия электродов; h – толщина пироэлектрической пленки; ε_n – относительная диэлектрическая проницаемость пироэлектри-ческой пленки; ε₀ – абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума.

Впервые пироэлектричество было открыто в кристаллах турмалина в 19 веке, хотя эффект греки наблюдали еще в древности. К настоящему времени известно более 1000 веществ, обладающих свойством обратной поляризации, их иногда называют ферроэлектриками. В основном это кристаллы, хотя такое свойство обнаружено и у некоторых полимеров, в частности у поливинилфторида (PVF) и поливинилидилфторида (PVDF, γ = 4·10^-3).

Из наиболее популярных неорганических материалов можно назвать монокристаллы танталата лития (LiTaO₃, γ = 2·10^-4), керамику из титаната бария (BaTiO₃, γ = 4·10^-4), поликристаллические слои титаната свинца (PbTiO₃, γ = 2,3·10^-4). Последний материал удобен тем, что сравнительно легко может быть получен в виде пленки. Ориентируясь на приведенные цифры коэффициентов пироэлектрического эффекта легко показать, что сенсоры на его основе должны обладать высокой чувствительностью к изменениям температуры. И это действительно так: пироэлектрические датчики способны реагировать на вариации температуры порядка миллионных долей градуса.

В то же время при создании и использовании таких устройств возникают определенные трудности. В частности, все пироэлектрики обладают выраженным пьезоэлектрическим эффектом и поэтому реагируют на любую деформацию, связанную с механическими воздействиями (вибрации, удары). Поэтому, в датчиках обычно используют два чувствительных элемента, включенных последовательно для компенсации зарядов, вызванных механическими нагрузками. При этом один из элементов покрывают красителем, повышающим поглощательную способность (он реагирует как на температуру, так и на механические воздействия), а второй экранируют от излучения и снабжает отражающим покрытием (он реагирует только на механические воздействия, и возникающий при этом заряд компенсирует паразитный сигнал от первого элемента). Для повышения поглощательной способности первого элемента можно использовать нихром, который одновременно является электродом.

Существует достаточно большое количество вариантов конструкций пироэлектрических сенсоров, в том числе и в микроэлектронной реализации. На рис. 21 представлена структура одиночного датчика в виде конденсатора, сформированного на тонкой мембране, которая получена анизотропным травлением кремния.

Рис. 21. Пироэлектрический сенсор температуры

Как отмечалось, чаще используют сдвоенные структуры сенсоров. Типичная конструкция датчика на основе сдвоенных сенсоров рассмотрена в [1] и приведена на рис. 22.

Рис. 22. Двойной пироэлектрический датчик:

А – конструкция датчика в металлическом корпусе,

Б – металлические электроды нанесены на противоположные стороны материала, В – эквивалентная схема двойного элемента

Они размещаются в металлических корпусах, что обеспечивает хорошее экранирование и защиту от окружающей среды. Окошко, пропускающее излучение, обычно изготавливается из кремния. Внутреннее пространство корпуса часто заполняется сухим воздухом или азотом. Обычно используют два чувствительных элемента, соединенных последовательно или параллельно навстречу друг другу, для лучшей компенсации быстрых изменений тепловых потоков и механических нагрузок, возникающих из-за акустических шумов и вибраций. Иногда один из элементов покрывается красителем для увеличения поглощающей способности, а второй экранируется от излучений, а для улучшения его отражающей способности на него наносится слой золота. Иногда электроды пироэлектрического чувствительного элемента изготавливается из нихрома. Нихром обладает высокой излучающей (поглощающей) способностью, и поэтому электроды из него выполняют сразу две функции: поглощают тепловое излучение и собирают электрические заряды.

Двойной элемент часто изготавливается на одной подложке из кристаллического материала (рис.22, Б). Металлические электроды, нанесенные с двух сторон материала, формируют два последовательно соединенных конденсатора С₁ и С₂. На рис. 22, В показана эквивалентная схема двойного пироэлектрического элемента. Такая конструкция дает возможность хорошо отбалансировать оба элемента и, следовательно, устранить все синфазные помехи. Следует отметить, что чувствительные зоны расположены только в пространстве между электродами, остальная часть пироэлектрического материала, непокрытая электродами, в генерации полезного сигнала не участвует. Пироэлектрические детекторы очень чувствительны к механическим нагрузкам и вибрациям, что значительно осложняет их проектирование. В дополнение к этому, все пироэлектрики также являются и пьезоэлектриками, поэтому для них характерен так называемый микрофонный шум. Для борьбы с такими помехами кристаллический элемент отделяют от внешних частей детектора (особенно важно обеспечить отсутствие механических связей между пироэлектриком и металлическим корпусом, а также между ним и выводами).

В настоящее время на основе пироэлектрических сенсоров строятся тепл

Дата добавления: 2014-01-05