Активный режим работы биполярного транзистора

Рис. 7.2 Активный режим работы транзистора n-p-n-структуры

Биполярный транзистор n-p-n-структуры в активном режиме показан на рис. 7.2.

В активном режиме эмиттерный переход должен быть открыт, а коллекторный закрыт. В связи с этим на эмиттерный переход напряжение подается «-» к n-слою, а «+» к p-слою. Коллекторный переход закрыт, поэтому напряжение подается «-» к p-слою, а «+» к n-слою. При этом соблюдается неравенство между напряжениями . Направление тока эмиттера и коллектора определяется по правилу от «+» к «-». Ток базы направлен в p-слой, так как направление тока встречно движению электронов.

Так как эмиттерный переход открыт, то электроны, как основные носители зарядов, проходят из эмиттера в базу. В базе они являются неосновными носителями, поэтому проходят через закрытый коллекторный переход, создавая выходной ток коллектора . Часть электронов в базе взаимоуничтожаются (рекомбинируют) с дырками, обуславливая ток базы. Именно для уменьшения тока базу делают как можно меньшей и с небольшим количеством основных носителей.

Количество электронов которые достигают коллектора характеризуется коэффициентом передачи эмиттерного тока . Этот коэффициент показывает какая часть электронов проходит из эмиттера в коллектор. Обычно и он не может быть больше единицы. Часто вместо используется коэффициент передачи тока базы , который показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы.

Дата добавления: 2014-01-05