Режим насыщения биполярного транзистора

Рис. 7.3 Режим насыщения транзистора n-p-n-структуры

Режим насыщения n-p-n транзистора показан на рис. 7.3.

В режиме насыщения эмиттерный и коллекторный переход открыты. В связи с этим на эмиттерный переход напряжение подается «-» к n-слою, а «+» к p-слою. Коллекторный переход также открыт, поэтому напряжение подается «-» к n-слою, а «+» к p-слою. При этом соблюдается неравенство между напряжениями . Направление тока эмиттера и коллектора определяется по известному правилу от «+» к «-». Ток базы направлен в p-слой, так как направление тока встречно движению электронов.

Так как эмиттерный переход открыт, то электроны, как основные носители зарядов, проходят из эмиттера в базу. В базе они являются несновными носителями, поэтому не могут пройти далее через открытый коллекторный переход. Электроны из коллектора через открытый переход также проходят в базу. В базе электроны и остаются. Так как дырок в базе относительно немного, то большое количество электронов не успевает рекомбинироавть с дырками и электроны накапливаются в базе. Говорят, что база насыщается свободными носителями. В режиме насыщения ток базы максимален, а ток коллектора небольшой.

Дата добавления: 2014-01-05