Температурное свойство транзисторов

Диапазон рабочих температур биполярного транзис­тора определяется температурными свойствами p-n перехода. При его нагревании от комнатной температуры, составляющей 25 °С, до 65 °С сопротивление базы и за­крытого коллекторного перехода уменьшается примерно от 15 до 20%. Особенно сильно нагревание полупровод­ника влияет на обратный ток коллектора I_кбо. Приме­ром может служить факт, что обратный ток коллектора увеличивается в 2 раза при увеличении температуры на каждые 10 °С. Таким образом, изменение температуры кристалла влияет на характеристики транзистора и по­ложение его рабочей точки (рис. 7.23).

Рис. 7.23. Изменение рабочей точки от изменения температуры

При увеличении температуры ток коллектора тран­зистора I_к увеличивается, а напряжение коллектор - эмиттер U_кэ уменьшается, что равносильно открыванию транзистора.

Делаем вывод, что каскад, выполненный по схеме включения транзистора с общим эмиттером, требует температурной стабилизации.

Дата добавления: 2014-01-05