КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Полевые транзисторы
Лекция 8 Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток обеспечивается прохождением только основных носителей зарядов под действием продольного электрического поля, а управление этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создается напряжением, приложенным к управляющему электроду. Вывод полевого транзистора, от которого истекают основные носители зарядов, называется истоком. Вывод полевого транзистора, к которому стекают основные носители зарядов, называется стоком. Вывод полевого транзистора, к которому прикладывают управляющее напряжение, создающее поперечное электрическое поле, называется затвором. Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов между p-n переходами, называется каналом полевого транзистора. Полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналом р или n типа. Переходы полевого транзистора с каналом n типа показаны на рис. 8.1, а с каналом p типа на рис.8.2. Рис. 8.1. Переходы транзистора с каналом n типа Рис. 8.2. Переходы транзистора с каналом p типа
Условное графическое изображение полевого транзистора с каналом n типа изображено на рис. 8.3, а с каналом p типа на рис. 8.4.
Рис. 8.3. УГО транзистора с каналом n типа Рис. 8.4. УГО транзистора с каналом p типа
Принцип действия рассмотрим на примере полевого транзистора с каналом n типа (рис. 8.5). Рис. 8.5. Транзистор с каналом n типа
На затвор подается такое напряжение, чтобы переходы, были закрыты. Напряжение между стоком и истоком создает продольное электрическое поле, за счет которого через канал движутся основные носители зарядов, создавая ток стока. При отсутствии напряжения на затворе Uзи p-n переходы закрыты собственным внутренним полем, ширина их минимальна, а ширина канала максимальна, и ток стока Iс1 будет максимальным. При увеличении запирающего напряжения на затворе Uзи > 0 ширина p-n переходов увеличивается, ширина канала уменьшается, и ток стока снижается Iс2 < Iс1. При достаточно больших напряжениях на затворе Uзи > 0 ширина p-n переходов может увеличиться настолько, что они сольются, ток стока станет равным 0, Iс3 = 0. Напряжение на затворе, при котором ток стока равен 0, называется напряжением отсечки. Полевой транзистор представляет собой полностью управляемый полупроводниковый компонент, так как, изменяя напряжение на затворе, можно уменьшать ток стока и поэтому принято говорить, что полевые транзисторы с управляющими p-n переходами работают только в режиме обеднения канала. В отличие от биполярных транзисторов, параметры и характеристики полевых транзисторов в значительно меньшей степени подвержены изменению при изменении температуры, ибо концентрация основных носителей заряда в широком диапазоне температур, исключая наиболее низкие, практически не меняется.
Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 509; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |