Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Диффузия в пленочных структурах

При производстве ЭС широко используются различные многослойные тонкопленочные структуры, в которых диффузионные процессы решающим образом влияют на качество изделия и стабильность его во времени. Изучение диффузионных процессов в тонких пленках
представляет значительный интерес и
для понимания диффузионных явлений.
В неотожженных тонких пленках
диффузия может протекать быстрее,
чем в массивных материалах, из-за
высоких концентраций вакансий и гра-
ниц зерен, обусловленных мелкокрис-
талличностью осаждаемых пленок.

 

Как указывалось, вид диффузион-ного процесса зависит от природы
участвующих в нем веществ и характе-
ра их межатомного взаимодействия, определяемого диаграммой состояния.
Рассмотрим диффузионный процесс в простейшей системе, состоящей из па-
ры металлов М1 — М2 (Au — Ag), кото-
рые растворяются друг в друге в лю-
бых пропорциях. В такой системе при плоской поверхности разде-
ла зависимость концентрации от расстояния на границе раздела
претерпевает разрыв при х =0 (рис. Д.12). По прошествии некоторого времени распределение концентрации становится не-
прерывным. Если соприкасающиеся пленки имеют одинаковую тол
щину, то при концентрации станут равными , а их распределение изобразится прямой линией, параллельной оси
абсцисс.

Металлы М1 и М2 имеют коэффициенты диффузии D1 и D2.
В общем случае и зависимость концентрации от расстояния
прибудет иметь вид, изображенный на рис. Д.12. В одну
сторону от первоначальной границы раздела продиффундировало
больше вещества, чем в другую. Таким образом, граница раздела,
для которой , перемещается из точки 0 в точку 01. По мере
протекания диффузии граница раздела становится все менее чет-
кой, а выбор начала отсчета координаты х — менее очевидным. Новую границу (плоскость) раздела называют плоскостью Мотано.
Ее определяют как плоскость, полный диффузионный поток через
которую равен нулю (т. е. диффузионные потоки, протекающие через эту плоскость в противоположных направлениях, равны). Положение плоскости Мотано на рис. 6.12 можно найти, приравнивая
площади заштрихованных областей.

 

Физико-химические основы ионно-плазменных процессов получения пленок

 

Характеристика плазмы и ее параметры

Ионно-плазменные методы получения пленок универсальны это подтверждается многообразием различных ТП, осуществляемых с ее помощью: очистка подложек, напыление слоев, травление с целью созда­ния заданного рисунка ИМС, отжиг пленок, окисление. Одно из их основных преимуществ невысокие температуры процессов, отсутствие жидких химических реагентов и растворителей.

В плазме атомные частицы (нейтральные атомов, по­ложительные и отрицательные ионы) взаимодействуют с поверхностью твердого те­ла по сложным механизмам. Бомбардирующие первичные атомные частицы вызы­вают эмиссию вторичных ионов, электронов, нейтральных атомов (катодное распыление), радикалов и химически активных частиц в зависимости от энергии и природы первичных частиц и от свойств и природы самой поверхности. Схема про­цессов, происходящих при взаимодействии атомных частиц с по­верхностью твердого тела, показана на рис. П.1.

Рис. П1. Схема процессов, происходящих при взаимодей­ствии атомных частиц с поверхностью твердого тела: 1 — поток атомных частиц; 2 — атомная частица, взаимодействую­щая с поверхностью; 3— упругое рассеяние положительного, отри­цательного ионов и нейтрального атома; 4 — испускание электро­магнитного излучения в момент соударения; 5 — электроны, выбиваемые из бомбардирующих частиц в момент соударения с по­верхностью; 6 —частица, внедренная внутрь мишени; 7 — введренная частица, диффундирующая к поверхности. 8 — адсорбиро­ванные частицы, диффундирующие вдоль поверхности: 9— части­цы, покинувшие поверхность за счет теплового испарения; 10 — частицы, выбиваемые из мишени к поверхности; 11 — частицы, вы­битые из мишени и пленок и покинувшие поверхность  

 

 


Плазмой называют ионизированный газ, который состоит из трех видов частиц: ионов, электронов и нейтральных атомов (мо­лекул). Электрические силы, связывая разноименно заряженные частниы, обеспечивают квазииейтральиость плазмы.

Произведем оценку напряженности полей, возникающих при наруше­нии нейтральности плазмы, предположим, что в некотором объеме произошло полное разделение зарядов и внутри его остались заряды только одного знака. При разделении зарядов в плазме возни­кает электрическое поле, описываемое уравнением Пуассона:

(393)

где Е — напряженность электрического поля, В/м; х — координа­та, м; ρ— плотность электрического заряда, Кл/см3; εr—относи­тельная диэлектрическая проницаемость среды (для газов εr =1); εо=8,85-Ф/м — электрическая постоянная; п — концентрация заряженных частиц в плазме, м-3; е=1,6-10-19 Кл — заряд элек­трона.

Интегрируя выражение (393) от 0 до X, получим

(394) 408)

где X — линейный размер области нарушения нейтральности плаз­мы, м.

Потенциал плазмы в области разделения зарядов

 

(395) (409)

Допустим, что полностью ионизированная плазма получена из водорода, находящегося первоначально при нормальной температу­ре 293 К и давлении 133 Па. В каждом кубическом миллиметре такой плазмы число ионов (электронов) равно первоначальному числу атомов водорода, т. е. 7·1013. В этом случае Е=1013 В/м. Если, например, резкое нарушение квазинейтральности происходит в элементе объемом около 1 мм3, то Е=1012 В/м, U=109 В. Такое разделение зарядов нереально. Даже в более разреженной плазме резкое нарушение квазинейтральности в указанном объеме немед­ленно скомпенсируется возникающими полями. Поле будет вытал­кивать из объема, где произошла декомпенсация зарядов, частицы одного и втягивать в эту область частицы другого знака.

Тем не менее, при заданных концентрации и температуре в плаз­ме всегда можно выделить некоторый малый объем с линейным размером δD, который удовлетворяет следующему условию: при х<<δD в пределах объема с линейным размером х разделение заря­дов происходит без существенного влияния на движение частиц; при х>>δD концентрации частиц противоположных знаков в указан­ном объеме почти одинаковы. Область, ограниченная линейным размером δD, характеризуется тем, что в ней потенциальная энергия заряженной частицы (при полном разделении зарядов) и энергия теплового движения частиц (kT) имеют одинаковый порядок.

Впервые размер δD был введен П. Дебаем при разработке тео­рии сильных электролитов. Затем его использовали в физике плаз­мы, назвав дебаевским радиусом (дебаевской длиной).

Для измерения температуры плазмы воспользуемся энергетиче­ской системой единиц, в которой постоянная Больцмана k = 1, а температура плазмы Θ измеряется в электрон-вольтах (1 эВ = = 1,6- 10-19 Дж). При этом

, (396) (410)

где Т — температура плазмы, К.

При заданном обозначении температура соответствует величине, характеризующей тепловую энергию частиц.

Ионизированный газ называют плазмой в том случае, когда де-6 пеке кий радиус мал по сравнению с объемом, занимаемым этим газом [1]. Численное значение 6д можно получить, используя (395) и подставляя δD вместо X в выражение для потенциальной энергии:

 

(397) (411)

Отсюда (398) (412)

При подстановке значений констант получим

 

(399) (413)

 

Так как дебаевский радиус характеризует пространственный масштаб областей декомпенсации зарядов, то время τ, в течение ко­торого эти области существуют, можно определить, разделив раз­мер δD на скорости υe наиболее быстрых частиц — электронов:

(400) (414)

где mе — эффективная масса электрона, кг.

Величина 1/τ является частотой собственных электростатических колебаний, возникающих в плазме при смещении групп электронов из равновесного состояния. Ее называют плазменной или ленгмю-ровской частотой. Плазменная частота

(401) (415)

 

Обычно плазму получают с помощью внешних источников элект­рического питания за счет создания различных форм разряда в га­зах. При этом энергия передается электронам, которые определяют в основном электрический ток плазмы. При столкновении с ионами электроны передают им энергию, которая не превосходит 4 me/mi. Поскольку масса электрона значительно меньше массы иона, элект­рон должен испытать тысячи соударений для полной передачи из­лишка своей энергии ионам. Поэтому практически во всех ТП с использованием плазмы электронная температура превосходит ион­ную.

Под действием электрического поля или градиента давления в плазме возникают направленные потоки частиц: в первом случае возникает электрический ток, во втором — диффундируют частицы. Ток через плазму обеспечивается главным образом движением электронов. Движущиеся под действием силы поля еЕ электроны испытывают торможение при столкновении с ионами. Каждое столкновение приводит к потере импульса meυe. При частоте столк­новений v ei-1) сила торможения равна meυe v ei. Условие равнове­сия между силой, с которой действует на электроны электрическое поле, и силой торможения можно записать в виде

(401) (416)

Плотность тока в плазме

(402) (417)

В соответствии с (416) и (417)

(403) (418)

где τei — среднее время между двумя столкновениями частиц.

Уравнение (403) выражает закон Ома для плазмы. При этом удельная проводимость плазмы

(404) (419)

Время τеi можно определить, зная длину свободного пробега ча­стиц λ ei при электронно-ионном взаимодействии в плазме. Длина свободного пробега частиц

(405) (420)

где z e — заряд рассеивающего центра (иона); jmin — минимальный угол рассеяния частицы.

Предполагая, что распределение электронов по энергиям под­чиняется закону Максвелла — Больцмана, перейдем от скорости υe к электронной температуре, используя следующее выражение

для средней квадратичной скорости:

Подставив численные значения констант в (405), получим уравнение для определения средней длины свободного пробега (для водородной плазмы):

(406) (421)

где — кулоновский логарифм.

Кроме длины свободного пробега λ е i можно ввести ряд других параметров для характеристики процессов столкновения электро­нов с ионами. Эффективная площадь сечения таких столкновений

(407) (422)

Средине время между двумя соударениями и их частота могут быть найдены из формул

; . (408)

 

При больших изменениях n и Т е [см. (406)] Λ= 10—20. По­скольку при использовании плазмы в технологических целях достаточно грубых оценок величин, характеризующих процессы столкновения частиц, примем Λ = 15. В этом случае параметры S ei, τеi,, νei можно вычислить по следующим формулам;

(409)

 

Подставляя значение τ ei в уравнение (404), получим среднюю удельную проводимость (Ом-м)-1:

(410)

Удельная проводимость плазмы быстро возрастает с температу­рой и уже при 107К становится равной удельной проводимости ме­ди при комнатной температуре.

Таким образом, плазма является энергетически активной сре­дой, обладающей определенными электро- и теплопроводностью. Ее используют в ряде физических и химических процессов, приме­няемых в технологии РЭА, например для испарения (распыления), травления, химического разложения (активации) и др.

Поскольку в плазме легко осуществить целенаправленную диф­фузию частиц под действием градиента того или иного фактора, ее применяют и для массопереноса вещества из одной точки про­странства в другую. Исследование влияния электро-, тепло- и мас­сопереноса на процессы формирования плазмы и с ее помощью рабочих элементов РЭА являются важными для многих ТП произ­водства РЭА.

Низкотемпературная плазма формируется с помощью газового разряда в пространстве между двумя элек­тродами. Электроды выполняются в виде плоских или изогнутых поверхностей, к которым подводится высокое напряжение (десятки киловольт). Тип разряда зависит от давления газа, приложенного напряжения и концентрации электронов, которые влияют на длину разрядного промежутка и плотность разрядного тока. Давление газа в разрядном пространстве поддерживается в пределах 0,13— 20 Па. Температура такой плазмы обычно не превышает 104—105 К, концентрация заряженных частиц составляет 1014—1021 м-3. На рис. П.2 приведена вольт-ампериая характеристика (ВАХ) газово­го разряда между двумя плоскими электродами.

При достижении определенного напряжения (пробивного) на­ступает пробой газового промежутка. В области 1, известной под названием области таунсендовского разряда, при постоянном на­пряжении между электродами ток увеличивается. При дальнейшем увеличении тока (область 2) достигается область нормального тлеющего разряда (область 3). Если сила тока превышает опреде­ленное значение, то по мере дальнейшего увеличения тока напря­жение между электродами растет — наступает аномальный тлею­щий разряд (область 4). При дальнейшем увеличении тока напря­жение между электродами быстро падает (область 5) и возникает дуговой разряд (область 6), Характерной чертой дугового разряда является то, что он может возникать как при высоком, так и при низком давлении. На рис. П.3 изображена схема и распределение потенциала между электродами при тлеющем разряде при давле­нии 1,33—1,3- 10-2 Па.

Носителями заряда в межэлектродном промежутке служат электроны и ионы, движущиеся вдоль силовых линий электрическо­го поля. В тлеющем разряде давление газа р так велико, что сред­ние длины свободного пробега ионов λ i и распыленных атомов ми­шени λ а малы по сравнению с расстоянием d между электродами. Поэтому возможны многократные столкновения между газовыми частицами и электронами, что приводит к образованию ионов, бом­бардирующих поверхность катода (мишени). Эти ионы выбивают (распыляют) атомы из материала катода (мишени). Последние, однако, частично могут ионизироваться и диффундировать обратно к катоду, что снижает эффективность процесса распыления. При существовании разряда соблюдается равенство pd= const (закон Пашена).

 

 

Рис. 10.3. Схема распределения потенциала м ежду эл ект рода м и: 1— темное астоновое пространство-, 2 — первое ка­тодное свечение; 3 — темное катодное пространст­во; 4 — отрицательное тлеющее свечение; 5 — фа­радеево темное пространство; 6—положительный столб разряда; 7—анодное свечение; 8 —темное-анодное простраистно  
Рис. 10.2. ВАХ газового разряда


Для увеличения длины свободного пробега используют газовый разряд при низких давлениях, что позволяет достигнуть значений λ i и λ a, соизмеримых с расстоянием между электродами. Однако в этих условиях из-за увеличения длины свободного пробега элект­ронов λ e снижается степень ионизации газа. Чтобы избежать это­го, применяют магнитное поле или облучение межэлектродного про­странства электронным лучом, для чего в систему вводят источник электронов — электронную пушку.

Характер физико-химических процессов, протекающих в плазме, определяется энергией ионов, составом плазмы и механизмом вза­имодействия частиц плазмы между собой и с поверхностью обра­батываемого материала. Реальная плазма существует в широкой области температур и давлений; различные ее виды отличаются по плотности и энергии частиц.

Состав плазмы сложный; он определяется ионно-молекулярны­ми взаимодействиями типа (411)

 

При взаимодействии потока ионов с поверхностью твердого те­ла протекают сложные физико-химические процессы, различные для различных энергий ионов. В общем случае удельная энергия ионов W i пропорциональна уско­ряющему напряжению U i и плот­ности тока j i.

(412)

 

Если обозначить W 1 - удельную энергию пучков ионов, достаточ­ную для возникновения электронно-ионной эмиссии; W2 — удельную энергию, необходимую для стимулирования химических реак­ций, протекающих на бомбарди­руемой поверхности; W3 — удельную энергию, требуемую для очистки и травления поверхности; W4 — удельную энергию, идущую на катодное распыление и трав­ление слоев; W 5 — удельную энергию, достаточную для локального нагрева бомбардируемой поверхности с целью ее испарения или фигурной обработки твердого тела и пленки; W 6 — удельную энер­гию пучка ионов, необходимую для внедрения их внутрь твердого тела (ионной имплантации). Соотношение между этими величина­ми можно записать в виде следующего неравенства:

(413)

Из неравенства (413) следует, что существуют экстремальные значения энергии бомбардирующих ионов, в диапазоне которых бу­дет идти распыление. При значениях энергии, меньших пороговой, распыления не наблюдается. При значениях энергии, больших энергии имплантации ионов, распыление отсутствует из-за относительно глубокого внедрения бомбардирующего иона в мишень. Вся энер­гия в последнем случае расходуется на радиационные поврежде­ния решетки мишени.

 


[1]Это определение принадлежит И. Ленгмюру, который в 1923 г. ввел тер­мин «плазма».

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Влияние дефектов кристаллической решетки на коэффициент диффузии | Деревья
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-05; Просмотров: 827; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.046 сек.