Зависимость параметров транзистора от режимов работы

Имеет место 3 составляющих:

- Температура окружающей среды

- Частота сигнала

- Величины постоянных составляющих токов и напряжений

При изменении температуры выходные характеристики двигаются вверх-вниз (чем больше температура, тем выше выходные хар-ки), входные вправо-влево.

a = f (w)

Рассмотрим процесс движения носителей в транзисторе:

Выводы:

1. Сдвиг по фазе между входным и выходным напряжением с ростом частоты растет

2. С ростом частоты коэффициент a уменьшается.

w_a - граничная частота схемы

с общей базой

w_b - граничная частота схемы

с общим эмиттером

Достоинство схемы с общей базой - большой диапазон частот.

Эквивалентная схема транзистора

Т - образная эквивалентная схема - сложна и громоздка.

Транзистор рассматривается как H - четырехполюсник:

"Черный ящик" - не затрагиваем внутреннюю структуру, исследуем вход и выход.

u_вх = h₁₁ i_вх + h₁₂ u_вых

i_вых = h₂₁ i_вх + h₂₂ u_вых

- входное сопротивление транзистора на переменном сигнале при к/з на входе по переменному сигналу.

- коэффициент обратной связи (как входное напряжение влияет на выходное) при х/х на входе по переменному сигналу.

- коэффициент передачи входного тока в выходную цепь.

h_{21 Э} = a

h_{21 Э} = - a (- показывает противоположность направлений выходного

и базового токов в схеме с ОЭ)

- выходная проводимость в транзисторе.

Эквивалентная схема замещения (для транзистора с ОЭ и с ОБ):

Эквивалентная схема замещения на практике:

h - параметры схемы ч ОЭ и схемы с ОБ однозначно связаны между собой:

h - параметры имеют место для конкретной точки и меняются в зависимости от рабочей точки.

Для схемы с ОЭ:

, то

Схема Дарлингтона:

h_{11 S} ­, h_{22 S} ­

Дата добавления: 2014-01-06