Работа транзисторов с нагрузкой

- уравнение нагрузочной прямой (линии нагрузки)

Линия нагрузки - линия перемещения рабочей точки на выходе транзистора.

­ I_Б Þ ­ I_К Þ ­ U_RК Þ ¯ U_КЭ Þ ¯ DI_К

Рабочая точка - точка с текущими координатами (напряжение и ток на выходе).

I область - активная область.

Если рабочая точка в этой области, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном, входной и выходной ток связаны однозначной прямо пропорциональной зависимостью, то есть говорят, что транзистор сохраняет управляемость.

II область - область отсечки.

Смещение обоих переходов в обратном направлении. Транзистор потерял управляемость по входу.

III область - область насыщения.

­ I_Б Þ ­ I_К Þ ­ U_RК Þ E_К

- ток коллекторного насыщения

- ток коллекторного насыщения

I_Б > I_{Б н}, но I_к не изменился, Þ транзистор потерял управляемость по входу.

Смещение обоих переходов в прямом направлении. Транзистор превращается в точку:

3 режима:

· активный (для транзисторов в усилительных устройствах)

· насыщения (для транзисторов в импульсных устройствах)

· отсечки (для транзисторов в импульсных устройствах)

Иногда нагрузка подключается так:

С имеет место на переменном сигнале (на постоянном сигнале C замыкается)

Линия нагрузки в этом случае:

Закорачиваем E_К:

R_К || R_Н = R_{эквивалентное} - определяет наклон линии нагрузки

Если есть только U_вх_; I_об - ток покоя базы.

Есть статическая и динамическая линия нагрузки:

· статическая - для выбора режима работы транзистора

· динамическая - для расчета усилительной схемы (max амплитуда выходного сигнала)

Если транзистор без нагрузки:

Линия нагрузки на выходе:

· Для схемы с ОЭ

· Для схемы с ОБ

Символьное обозначение транзисторов:

D B₁ X₁ X₂ X₃ B₂

D - материал (цифра, буква)

B₁ - подкласс тиристоров

B₁ Î {Т, П}

Т - биполярные

П- полевае

X₁ - цифра, определяющая основные функциональные возможности.

Обозначение	Мощность Pдоп	f гр, Мгц
£ 3	£ 30	>30	30¸300	>300
Шестизначные	£ 0,3 Вт 0,3 ¸ 1,5 Вт > 1,5 Вт
Семизначные	£ 1 Вт > 1 Вт

X₂ X₃ {X₄} - порядковый номер разработки технологического типа транзистора.

В₂ - определяет классификация по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Запрещены буквы: З,О,Ч,Ы,Щ,Ь,Ъ,Э.

Дата добавления: 2014-01-06