Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Характеристики биполярных транзисторов




 

Свойства транзисторов определяются их вольтамперными характеристиками. Основными из них являются входные и выходные статические характеристики.

Входные характеристики транзистора отражает зависимость его входного тока от входного напряжения при фиксированном значении на­пряжения на коллекторе. Входные характеристики транзисторов анало­гичны характеристикам диодов в прямом включении.

Для схемы с общим эмиттером, которая широко применяется на практике, входной характеристикой является зависимость тока базы I б от напряжения на базе U б при постоянном напряжении на коллекторе U к .

Входные характеристики транзисторов типа "n-p-n" для схемы с общим эмитте­ром приведены на рис. 5.4.17.

 

I б

 

 

U к = 0 U к > 0

 

 

U б

 

Рис. 5.4.17. Входные характеристики транзистора

типа "n-p-n" для схемы с общим эмиттером

 

I к  
I Б3  
Выходные характеристики для схемы с общим эмиттером отражают зависимость коллекторного тока I к от напряжения на коллекторе U к при фиксированных значениях тока базы I б (рис. 5.4.18).

       
   
 
Рис. 5.4.18. Выходные характеристики транзистора типа "n-p-n" для схемы с общим эмиттером  
 

 


 
 

 

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 258; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.016 сек.