Устройство и работа униполярных

Схема с общим коллектором

Схема с общим эмиттером

Схема с общей базой

Биполярных транзисторов

Особенности различных схем включения

Включение транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" по схеме с общей базой показано на рис. 5.4.19.

R _н R _н

+ – + – – + – +

a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"

Рис. 5.4.19. Включение транзисторов по схеме с общей базой

В схеме с общей базой источник управляющего сигнала включен в цепь эмиттера, а сопротивление нагрузки – в цепь коллектора, поэтому входным током здесь является ток эмиттера I _э , а выходным – ток коллектора I _к . При этом ток эмиттера I _э равен сумме токов базы I _б и коллектора I _к:

	I э = I б + I к;

Отсюда находим выражение для тока коллектора:

	I к = I э – I б;

Коэффициент усиления по току "α" равен отношению выходного тока к входному:

	α = = = 1 – ;

Таким образом, в схеме с общей базой коэффициент усиления по току α всегда меньше единицы. Обычно α = 0,92 – 0,99.

Коэффициент усиления по напряжению к _U в схеме с общей базой равен отношению выходного напряжения U _вых к входному напряжению U _вх :

Выходное напряжение: U _вых = I _к · R _н;

Входное напряжение: U _вх = I _э · R _вх;

Определяем коэффициент усиления по напряжению:

к _U = ;

Учитывая, что в схеме с общей базой ток коллектора и ток эмиттера близки по величине (I _к @ I _э), выражение для коэффициента усиления по напряжению приобретает следующий вид:

к _U @ ;

Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим эмиттером показана на рис. 5.4.20.

R _н R _н

~ ~

– + + – + – – +

Е _б Е _к Е _б Е _к

a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"

Рис. 5.4.20. Включение транзисторов по схеме с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером источник управляющего сигнала включен в цепь базы, а сопротивление нагрузки – в цепь коллектора. Поэтому входным током здесь является ток базы I _б, а выходным – ток коллектора I _к.

Поскольку I _э = I _б + I _к, то I _б = I _э – I _к;

Учитывая, что = α, находим ток коллектора:

I _к = α · I _э;

Отсюда определяем выражение для тока базы:

I _б = I _э – α · I _э = I _э · (1 – α);

Коэффициент усиления по току β для схемы с общим эмиттером:

β = = = ;

Обычно коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером находится в пределах β = (100 ¸ 150).

Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером определяется выражением:

к _U = ;

Выходное напряжение равно: U _вых = I _к · R _н;

Входное напряжение: U _вх = I _б · R _вх;

к _U = = β · ;

В этой схеме источник управляющего сигнала включен в цепь базы, а сопротивление нагрузки – в цепь эмиттера. Входным током здесь является ток базы I _б, а выходным – ток эмиттера I _э.

Схема включения транзисторов типа "p-n-p" и "n-p-n" с общим коллектором приведена на рис. 5.4.21.

~ R _н ~ R _н Е _б Е _к Е _б Е _к

– + + – + – – +

a) транзистор типа "p-n-p" b) транзистор типа "n-p-n"

Рис. 5.4.21. Включение транзисторов по схеме с общим коллектором

В схеме с общим коллектором коэффициент усиления по току имеет примерно такую же величину, как и в схеме с общим эмиттером, коэффициент усиления по напряжению меньше единицы (0,7 ¸ 0,9), а величина входного сопротивления R _вх зависит от сопротивления нагрузки R _н:

R _вх @ β · R _н;

В схеме с общим коллектором усилитель имеет наименьшее выходное сопротивление по сравнению с другими схемами включения.

(ПОЛЕВЫХ) ТРАНЗИСТОРОВ

Дата добавления: 2014-01-06