Высокочастотные полевые транзисторы. Геометрия, характеристики и параметры

Рис. 9.5. Структура полевого СВЧ-транзистора с затвором Шоттки (а), топологическая схема транзистора гребенчатого типа (б) и транзистора с двумя выводами затвора (в):1-подложка; 2 - канал; 3 - области n⁺ - вывода истока и стока; 4 - исток; 5 - затвор; 6 - сток; 7 -обедненная область

(9.10)

где t_пр - время пролета электронов через канал.

t_пр = L/v_нас. (9.11)

где L — длина канала; L = l₁ + l₂ +l₃;

(9.12)

где R_cи - дифференциальное выходное сопротивление, R_зи - сопротивление части канала между истоком и затвором, неперекрытой обедненным слоем барьера Шоттки

Определяем частоту f_тax из условия К_р (f_mах) = 1:

(9.13)

(9.14)

где S - крутизна транзистора, r_з— сопротивление металлизации затвора, R_и- сопротивление части эпитаксиального n-слоя на участках И-3, которые включает в себя сопротивления контактов И.

Дата добавления: 2014-01-06