Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Пробой p-n перехода

 

С ростом запирающего напряжения обратный ток через p-n структуру будет возрастать. Это связано с ее разогревом и возникновением ударной ионизации. Последнее явление проявляется в том, что при высоких обратных напряжениях электроны, проходящие p-n переход, приобретают высокую энергию и при столкновении с узлами кристаллической решетки (атомами) могут вызвать рождение пары носителей, которые в свою очередь будут разгоняться полем, порождать новые пары и т.д. С ростом обратного напряжения этот процесс становится все более интенсивным. Когда пара носителей в среднем порождает больше одной новой пары, то возникает лавинообразный процесс их размножении. При некотором обратном напряжении ток через p-n переход скачком возрастает (теоретически до бесконечности) (рис.1.17). Такой эффект называется пробоем p-n перехода, а в данном случае электрическим лавинным пробоем. Этот механизм пробоя характерен для p-n переходов с большой шириной, которые получаются при использовании слабо легированных полупроводников. При лавинном пробое, кроме механизма ударной ионизации может также действовать эффект, заключающийся в вырывании электронов из связей сильным электрическим полем. Пробивное напряжение p-n переходов при лавинном пробое обычно составляет десятки, сотни и более вольт.

 

Рис.1.17. ВАХ лавинного и туннельного пробоя p-n - перехода.

 

Если p-n переход образован сильно легированными полупроводниками, то он получается узким и даже при небольшой запирающей разности потенциалов напряженность поля оказывается огромной. Электрон или дырка при этом, пролетая область перехода, не успевают по пути встретить и ионизировать какой-либо атом. В этой ситуации возникают условия для так называемого туннельного пробоя. Его сущность состоит в том, что, при напряженности поля более 105-106 В/см, электроны могут перейти из валентной зоны в зону проводимости и обратно без изменения энергии. То есть они не преодолевают потенциальный барьер, а как бы «протыкают» его. Напряжение туннельного пробоя лежит в пределах единиц вольт и его особенность состоит в том, что обратный ток в зоне пробоя изменяется плавно.

Интерпретировать механизм туннельного перехода можно следующим образом (рис. 1.18). Если имеется некоторый холм и требуется переместить предмет с одной его стороны на другую, то необходимо сначала затратить энергию, чтобы поднять его на вершину, а потом он скатится вниз с выделением того же количества энергии. В итоге энергия предмета до и после перемещения будет одинаковой. Однако, если в холме прокопан горизонтальный туннель, то перемещение предмета можно осуществить без затрат энергии, что и характерно для туннельного эффекта.

Рис.1.18. Интерпретация механизма туннельного пробоя.

 

Еще один вид пробоя называется тепловым. По характеру он существенно отличается от электрических видов пробоя. Его механизм можно представить следующим образом. Пусть при некотором обратном напряжении Uобр через p-n переход протекает ток Iобр. Тогда, вследствие выделения мощности P= Uобр Iобр, полупроводниковая структура нагреется на to . Это приведет к росту обратного тока, вследствие чего возрастет рассеиваемая мощность. Если при этом тепло не отводить, увеличится температура и т.д. То есть может возникнуть лавинообразный рост обратного тока, сопровождающийся повышением температуры вплоть до расплавления полупроводниковой структуры.

Вольтамперная характеристика теплового пробоя имеет вид, представленный на рис. 1.19 и ее особенностью является наличие падающего участка. Тепловой пробой возникает, если выделяющееся количество тепла больше отводимого, и он необратим.

Рис.1.19. Вольтамперная характеристика теплового пробоя.

 

В отличие от теплового, электрический пробой обоих видов обратим, то есть если ограничить ток пробоя и достаточно интенсивно отводить тепло, то p-n переход может пребывать в таком состоянии сколь угодно долго. При снятии обратного напряжения исходное состояние перехода восстановится. На использовании эффекта электрического пробоя основана работа особого вида полупроводниковых приборов - стабилитронов.

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Вольтамперная характеристика p-n перехода | Емкость p-n перехода
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 471; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.