Вопросы для самопроверки. 1. Какой полупроводник называют собственным?

1. Какой полупроводник называют собственным?

2. Как меняется собственная концентрация носителей заряда при изменении температуры?

3. Как происходит тепловая генерация носителей заряда?

4. Какие факторы влияют на подвижность носителей заряда?

5. Какие энергетические зоны есть в полупроводнике?

6. Как влияет ширина запрещенной зоны на концентрацию носителей заряда?

7. Какие электроны являются свободными носителями заряда?

8. Что такое дырка?

9. Как зависит удельное электрическое сопротивление полупроводника от температуры?

10. Из каких составляющих складывается полный ток через полупроводник?

11. Какие носители заряда называют основными и неосновными?

12. В чем отличие дрейфового и диффузионного токов?

13. Как происходит генерация носителей заряда в донорном и акцепторном полупроводнике?

14. Какие примеси являются донорами, а какие акцепторами?

15. Почему в собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок равны?

16. Какие процессы называются генерацией и рекомбинацией?

17. Что такое инжекция и экстракция?

18. Что такое дрейф носителей заряда?

19. Что такое диффузия носителей заряда?

20. Как образуется область пространственного заряда?

21. Как влияет ширина объемного пространственного заряда на барьерную емкость?

22. Как изменяется концентрация электронов при легировании германиевого полупроводника бором?

23. Как изменяется концентрация дырок при легировании кремниевого полупроводника алюминием?

24. Как изменяется концентрация электронов при легировании германиевого полупроводника мышьяком?

25. Как относятся концентрации галлия и мышьяка в собственном арсениде галлия?

26. Как изменяется удельная электропроводность при увеличении ширины запрещенной зоны?

27. Как изменяется концентрация основных носителей от температуры?

28. От чего зависит удельное сопротивление полупроводника?

29. Как влияет концентрация донорных примесей на удельную проводимость полупроводника?

30. Объясните устройство полупроводниковых диодов, указав их особенности и области применения.

31. Объясните, как возникает собственная проводимость в полупроводнике. Как изменяется она при изменении температуры? При введении какой примеси и как получается полупроводник, обладающий примесной электронной проводимостью? Какая примесь создает в полупроводнике примесную дырочную проводимость? Велика ли доза примеси?

32. Объясните физические принципы работы полупроводникового диода. Что такое электронно-дырочный п—p - переход, запирающий слой, потенциальный барьер, вентильные свойства диода? Изобразите и поясните вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов.

33. Какие внешние факторы влияют на изменение электропроводности полупроводников?

34. Объясните типизацию, маркировку, обозначение в схемах и назначение полупроводниковых диодов, транзисторов, кремниевых стабилитронов, тиристоров и динисторов согласно ГОСТ и ЕСКД.

35. Объясните устройство и физические принципы работы плоскостных биполярных транзисторов типа р—п—р и п—р—п.

36. Приведите схемы включения транзисторов типа р—п—р для снятия семейства статических входных и выходных характеристик. Изобразите эти характеристики для схем с ОБ и ОЭ. Объясните, как по ним определяются h -параметры.

37. Приведите формулы, связывающие основные физические параметры rб, rэ, rк, Вст с h - параметрами транзистора.

38. Перечислите достоинства и недостатки полупроводниковых диодов и транзисторов.

39. Объясните устройство, назначение, принципы действия и вольтамперную характеристику тиристора (тринистора). Приведите схему его включения.

40. Объясните принцип действия и вид вольтамперной характеристики туннельных диодов.

41. Что представляют собой униполярные полевые транзисторы разных типов? Каковы их устройство, вольтамперные характеристики и основные параметры?

42. Приведите вольтамперную характеристику кремниевого стабилитрона, объясните принцип его действия и назначение в электронной аппаратуре.

Дата добавления: 2014-01-06