Пример выполнения контрольной работы

Задание.

Оформление отчета по контрольной работе.

Методические указания к выполнению контрольной работы.

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА.

Перед выполнением контрольной работы необходимо ознакомиться с разделом 1 материалов курса.

Отчет по контрольной работе оформляется в ученической тетради объемом 12 листов, либо на стандартных листах формата А4. Он может быть выполнен как в рукописном виде, так и с использованием компьютера. Отчет должен содержать титульный лист, на котором располагаются: название факультета, кафедры, специальности, предмета, номер варианта задания по контрольной работе, фамилия, имя, отчество студента номер группы, номер зачетной книжки, фамилия, инициалы преподавателя, год обучения. На первой странице отчета помещается развернутое описание задания, далее приводятся все необходимые выкладки для решения поставленной задачи и принципиальные схемы разработанных устройств.

Все студенты должны выполнить одинаковое задание, состоящее из нескольких задач, исходные данные для расчетов, то есть номер варианта задания определяется в соответствии с последними двумя цифрами (шифром) зачетной книжки.

Шифр	Номер варианта	Шифр	Номер варианта	Шифр	Номер варианта
01,31,61,91		11,41,71		21,51,81
02,32,62,92		12,42,72		22,52,82
03,33,63,93		13,43,73		23,53,83
04,34,64,94		14,44,74		24,54,84
05,35,65,95		15,45,75		25,55,85
06,36,66,96		16,46,76		26,56,86
07,37,67,97		17,47,77		27,57,87
08,38,68,98		18,48,78		28,58,88
09,39,69,99		19,49,79		29,59,89
10,40,70,00		20,50,80		30,60,90

1) Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

2) Для полупроводника p -типа с концентрацией акцепторных примесей N_a определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

3) Для полупроводника n -типа с концентрацией донорных примесей N_d определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.

4) Считая, что из полупроводников p - и n -типа изготовлен p-n -переход, определить контактную разность потенциалов; ширину обедненных областей и ширину области пространственного заряда; величину заряда на единицу площади; величину барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении . Построить вольт-фарадную характеристику перехода.

Данные для расчета приведены в таблице 1. Параметры полупроводников, необходимые для расчета, сведены в таблицу 2.

При выполнении контрольной работы целесообразно пользоваться книгами из списка основной рекомендованной литературы.

Значения физических постоянных:

Заряд электрона

Масса электрона

Постоянная Больцмана

Постоянная Планка

Диэлектрическая постоянная

Таблица 1.

Исходные данные для расчетного задания.

Вар-т	Материал п/п	Температура T, K	Концентрация примесей	Площадь перехода S,
	Si		1∙10^19	30∙10^20
	Ge		2∙10^20	29∙10^21
	GaAs		3∙10^19	28∙10^20
	Si		4∙10^20	27∙10^21
	Ge		5∙10^19	26∙10^20
	GaAs		6∙10^20	25∙10^21
	Si		7∙10^19	24∙10^20
	Ge		8∙10^20	23∙10^21
	GaAs		9∙10^19	22∙10^20
	Si		10∙10^20	21∙10^21
	Ge		11∙10^21	20∙10^20
	GaAs		12∙10^20	19∙10^21
	Si		13∙10^21	18∙10^20
	Ge		14∙10^20	17∙10^21
	GaAs		15∙10^21	16∙10^20
	Si		16∙10^20	15∙10^21
	Ge		17∙10^21	14∙10^20
	GaAs		18∙10^20	13∙10^21
	Si		19∙10^21	12∙10^20
	Ge		20∙10^20	11∙10^21
	GaAs		21∙10^21	10∙10^20
	Si		22∙10^20	9∙10^21
	Ge		23∙10^21	8∙10^19
	GaAs		24∙10^20	7∙10^21
	Si		25∙10^21	6∙10^19
	Ge		26∙10^20	5∙10^21
	GaAs		27∙10^21	4∙10^19
	Si		28∙10^20	3∙10^21
	Ge		29∙10^21	2∙10^19
	GaAs		30∙10^20	1∙10^21

Таблица 2.

Основные параметры

полупроводниковых материалов.

Материал полупроводника	Si	Ge	GaAs
Ширина запрещенной зоны при		1.17	0.744	1.519
Параметры для определения ширины запрещенной зоны		4.73∙10^-4
Параметры для определения подвижности носителей		2.42	1.66	1.0
	2.2	2.33	2.1
Подвижности носителей заряда при		0.15	0.39	0.85
	0.06	0.19	0.04
Эффективные массы носителей заряда		1.08	0.56	0.068
	0.56	0.35	0.45
Диэлектрическая проницаемость		11.8	16.0	13.2
Время жизни носителейзаряда

Титульный лист контрольной работы

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«ПСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ»

Кафедра «Вычислительная техника»

Дата добавления: 2014-01-06