КАТЕГОРИИ:
Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)
Контрольная работа
|
|
|
|
по дисциплине «Электроника»
Выполнил
Студент
Группа
Вариант
Проверил
Дата сдачи
Оценка
Псков
2011г
Исходные данные для расчетного задания.
| Вар-т | Материал п/п | Температура T, K | Концентрация примесей | Площадь перехода S, 
| |
| 
| ||||
| GaAs | 3∙1019 | 28∙1020 |
Таблица 2.
Основные параметры
полупроводниковых материалов.
| Материал полупроводника | Si | Ge | GaAs | |
Ширина запрещенной зоны при 
| 
| 1.17 | 0.744 | 1.519 |
| Параметры для определения ширины запрещенной зоны | 
| 4.73∙10-4 | 
| 
|
| ||||
| Параметры для определения подвижности носителей | 
| 2.42 | 1.66 | 1.0 |
| 2.2 | 2.33 | 2.1 | |
Подвижности носителей заряда при 
| 
| 0.15 | 0.39 | 0.85 |
| 0.06 | 0.19 | 0.04 | |
| Эффективные массы носителей заряда | 
| 1.08 | 0.56 | 0.068 |
| 0.56 | 0.35 | 0.45 | |
| Диэлектрическая проницаемость | 
| 11.8 | 16.0 | 13.2 |
| Время жизни носителейзаряда | 
| 
| 
| 
|
Значения физических постоянных:
Заряд электрона 
Масса электрона 
Постоянная Больцмана 
Постоянная Планка 
Диэлектрическая постоянная 
Задача 1.
Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
|
|
|
|
Дата добавления: 2014-01-06; Просмотров: 269; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!