Флэш-память

Полевой транзистор во флешке состоит из 2 затворов управляемый затвор и плавающий затвор. Если электрон находится на плавающем затворе, то появляющееся напряжения бит относительно земли «1». Если поменяется электрон, то электрон из плавающего затвора уходят «0».

Важной особенностью плавающего затвора является способность удерживать электроны, то есть заряд. Также в ячейке имеются, так называемые сток и исток, как в обычном полевом транзисторе. При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля (знаки без скобок) на управляющем затворе создается канал — поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор. На нем они могут храниться в течение нескольких лет. Определенный диапазон количества электронов (заряда) на плавающем затворе соответствует логической единице, а все, что меньше его, — нулю. При чтении эти состояния распознаются путем измерения порогового напряжения транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (знаки в скобках), и электроны с плавающего затвора возвращаются (туннелируют) на управляющий затвор.

Дата добавления: 2014-01-06