КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
ВАХ биполярного транзистора с ОБВАХ биполярного транзистора. Представляет собой зависимости токов от напряжений на выводах биполярного транзистора, представленные в виде графиков. Для биполярного транзистора обычно рассматривают: Входную ВАХ – Iвх=f(Uвх) Выходную ВАХ – Iвых=f(Uвых) 1) Входная ВАХ: - входная характеристика. Эти характеристики близки к характеристикам смещённого в прямом направлении p-n-перехода. При Uкб=0, ВАХ входная совпадает с ВАХ p-n-перехода. При Uкб>0, входная ВАХ смещается влево. Это связано с расширением коллекторного перехода, что приводит к уменьшению толщины базы. Зависимость толщины коллекторного перехода от напряжения на коллекторе связано с эффектом Эрли. 2) Выходная ВАХ: . 1.Рабочим режимом работы транзистора является 0<Uкб< Uкб max. КП смещен в обратном направлении, отсюда Iвых: IК = αIЭ + IК0. Однако, из-за эффекта Эрли наблюдается небольшой наклон этих характеристик; он учитывается: IК = αIЭ + IК0 + UКБ/rК диф 2.При Uкб > Uкб max, наступает пробой коллекторного перехода, что сопровождается резким возрастанием коллекторного тока. В транзисторах наблюдается два вида пробоя: -лавинный, аналогичный p-n-переходу. -эффект смыкания коллекторного и эмиттерного переходов: 3.При Uкб<0, коллекторный переход смещается в прямом направлении, что препядствует движению не основных носителей заряда через него, а потому ток неосновных носителей заряда стремится к нулю, а дальнейшее увеличение ведет к возрастанию тока основных носителей.
Усилительные свойства транзистора, включенного с ОБ, характеризуются αS. В зависимости от характера входного сигнала различают три разных определения такого коэффициента: 1.Статический коэффициент αS= Ik/Iэ(Ik,Iэ – абсолютные и обычно неизменные токи транзистора). 2. α0 – дифференциальный коэффициент. (в заданной рабочей точке). 3.Динамический коэффициент – комплексный коэффициент передачи, зависящий от частоты. , где
– постоянная времени транзистора, включенного с ОБ, W – ширина базы транзистора с ОБ. АЧХ: ФЧХ: φк(ω)=- arctg ω τ α -граничная частота транзистора включенного с ОБ. Следствия: 1) На высоких частотах коэффициент передачи уменьшается. 2) Появляется фазовый сдвиг (запаздывание) между Iвх и Iвых.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 663; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |