ВАХ транзистора с ОЭ

Входная характеристика – I_б=f(U_бэ).

1) Входная ВАХ

2) Выходная ВАХ

Входная ВАХ:

1.При U_кэ=0, входная ВАХ ОЭ, совпадает с ВАХ p-n-перехода.

2.При возрастании U_кэ, входная ВАХ смещается вправо, этосвязано с падением напряжения I_k на эмиттерном переходе.

Выходная ВАХ:

1) Выходная ВАХ целиком расположена в первом квадранте, так как U_кэ=U_кб+U_бэ.

2) Наклон на пологой части графиков значительно сильнее, чем для схем с ОБ.

Получим связь между током коллектора и током базы.

I_K= f (I_Б)-?

;

Разрешим уравнение относительно I_K:

1) - коэффициент передачи тока базы.

α=0,9 - β=9

α=0,99 - β=99

α=0,999 - β=999

2) - тепловой ток КП в схеме с ОЭ

, это связано с тем, что I_K0 усиливается в β раз.

3) - диф-е сопротивление КП с ОЭ.

Отличия ОЭ от ОБ.

1.За счёт того, что U_кэ=U_кб+U_бэ, ВАХ по сравнению с предыдущим случаем смещаются вправо.

2.Наклон рассматриваемых характеристик значительно больше чем прежде. Это связано с тем, что U_бэ, зависит от R_ээ.

3.При U_кэ>U_кэmax, происходит пробой коллекторного перехода, причём, U_кэmax(ОЭ) < U_кбmax(ОБ).

4.При I_б=0, I_кэ=I_ко^*>>I_ко

Усилительные свойства транзистора, включённого с ОЭ, характеризуются параметром - коэффициент передачи тока базы. В зависимости от характера входного сигнала β имеет разный физический смысл:

1.Статический коэффициент ;

Установим связь между b и a.

I_k=aI_э+I_k0=a(I_к+I_б)+I_k0=I_k(1-a)=aI_б+I_k0

2.b₀ – Дифференциальный коэффициент передачи тока базы.

3.Динамический коэффициент .

- постоянная времени транзистора с ОЭ.

Схема замещения биполярного транзистора (эквивалентная схема).

При малых амплитудах и сигналах, воздействующих на транзистор, его можно считать линейным элементом и пользоваться следующими схемами замещения:

1) Формальная схема замещения. Транзистор считается линейным четырехполюсником, для описания свойств которого используют одну из шести пар основных уравнений четырехполюсника. Наиболее часто используют уравнения с h-параметрами.

U₁ = h₁₁ I₁ + h₁₂ U₂ (1)

I₂ = h₂₁ I₁ + h₂₂ U₂ (2)

(входное сопротивление четырехполюсника)

(коэф-т передачи обратной связи по напряжению)

(коэф-т передачи по току)

(выходная проводимость в режиме холостого хода во входе)

1) h-параметры легко определяются по входным и выходным ВАХ

транзистора.

2) Они наиболее близки к физическим процессам, протекающим в

транзисторе.

h₁₂ – учитывает влияние напряжения на коллекторе на входное напряжение (эффект Эрли).

h₂₁=I_KB–I_KA/I_б3(B)–I_б2(A)

Формальная схема замещения транзистора составляется по уравнениям (1) и (2).

Эта схема замещения транзистора составляется по физическим моделям. Элементы физической схемы связанны с процессами, протекающими в транзисторе, причем напрямую.

Физическая схема замещения транзистора с ОБ:

Физическая схема замещения транзистора с ОЭ:

Дата добавления: 2014-01-07