КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Трансформаторный каскад
Резисторный каскад на полевом транзисторе (схема с общим истоком) Резисторный каскад на биполярном транзисторе (схема с общим эмиттером) Резисторный каскад ОЭ обычно является частью многокаскадного усилителя. На передачу сигнала таким каскадом влияют элементы межкаскадной связи и входной цепи следующего каскада. Полная электрическая схема резисторного каскада на биполярном транзисторе приведена на рисунке 1.28. Рисунок 1.28 – Полная принципиальная схема резисторного каскада на биполярному транзисторе
Назначение элементов данной схемы следующее: VT-биполярный транзистор - усилительный элемент; Rк - резистор коллекторной нагрузки; R1,R2- образуют делитель для по дачи на базу транзистора VT1 напряжения смещения, обеспечивающего исходный режим, т.е. для смещения рабочей точки покоя А в заданный участок характеристики; R1сл.,R2сл-образуют делитель для подачи на базу транзистора VT2 напряжения смещения и являются нагрузкой усилительного каскада собранного на транзисторе VT1; C1, C2-разделительные конденсаторы (являются элементами межкаскадных связей, предотвращают проникновение постоянной составляющей сигнала с выхода одного каскада усиления на вход другого, могут использоваться для коррекции частотных характеристик); Rэ, Rэ.сл.- резисторы обеспечивают температурную стабилизацию режима покоя каскада.; Сэ, Сэ.сл- конденсатор шунтирует резистор Rэ по переменному току, исключая отрицательную обратную связь по I току. Отсутствие конденсатора Сэ вызывает уменьшение коэффициента усиления вследствие наличия отрицательной обратной связи.Уменьшает сопротивление переменному току в цепи эмиттера. Может использоваться для частотной коррекции.; Сф1, Rф1,Сф2, Rф2 - развязывающие фильтры предназначены для уменьшения паразитной связи в цепи электропитания коллекторов транзисторов. Если не применять развязывающие фильтры, то коллекторы транзисторов VTl и VT2 будут подключены к источнику электропитания параллельно и они окажутся связанными между собой через внутреннее сопротивление источника электропитания. Такая связь является паразитной и может привести к ухудшению показателей усилителя; Е - источник электропитания. Принцип действия резисторного каскада основан на свойствах схемы с общим эмиттером. Постоянная составляющая тока коллектора протекает от положительного полюса источника электропитания +Е, общий провод, через Rэ, эмиттерный и коллекторный переходы VT1 и Rk, резистор фильтра Rф2 к отрицательному полюсу источника -Е (рассматриваются цепи электропитания применительно к транзистору р-п-р). +Е→ ┴ → Rэ → (э-б-к)VT1 → Rк→Rф2→-Е. При подаче сигнала на вход в коллекторной цепи появляется переменная составляющая тока. В схеме ОЭ отрицательной полуволне сигнала на базе соответствует положительная полуволна усиленного сигнала на коллекторе (знаки в скобках). Переменная составляющая тока в этот полупериод проходит от коллектора по внешней цепи к эмиттеру (волнистые стрелки на схеме). Для переменного тока коллекторная цепь представляет ряд параллельных ветвей.
1) коллектор (+)VT1→C2—>база-эмитгер VT2 —>Сэ.сл—>общий
2) коллектор (+)VT1—>Rк—>Сф2→ общий провод —>Сэ—эмиттер
3) коллектор (+)VТ1→С2→R2сл→общий провод —>Сэ—”эмиттер 4) коллектор (+)VТ1→С2→R1сл—>Сф2—>общий провод — >Сэ —> эмиттер(-)VТ1. . Таким образом, общим сопротивлением нагрузки для переменного тока Rk~ является эквивалентное сопротивление параллельно включенных Rк,R1сл,R2сл и Rвx.сл. Полезной является только составляющей выходного переменного тока Iвых = Iб.сл, протекающая по первой из названных ветвей. Эквивалентная электрическая схема резисторного каскада для переменной составляющей тока коллектора (рисунок 1.29) может быть составлена, если транзистор заменить схемой замещения его выходной цепи и подключить к ней все элементы, нагружающие транзистор по переменному току. При этом следует пренебречь сопротивлением источника электропитания для переменного тока, а также сопротивлением параллельно включенных R3 и Сэ, так как при больших ёмкостей конденсаторов Сф и Сэ можно считать При этом следует пренебречь сопротивлением источника электропитания для переменного тока, а также сопротивлением параллельно включенных R3 и Сэ, так как при больших ёмкостей конденсаторов Сф и Сэ можно считать обкладки замкнуты накоротко для частот сигнала. Объединить все включенные параллельно после Сс активные сопротивления в одно эквивалентное входное сопротивление следующего каскада Rвх2:
Rвх2 = 1 / (1/R1сл+1/R2сл+1/Rвх.сл), (1.43)
во вторых, заменить ёмкости См и Свх.сл, а также Ск, подключенную у ним через очень малое сопротивление ёмкости С2, суммарной эквивалентной входной ёмкостью следующего каскада Со:
Со = Свх.сл +См +Ск. (1.44)
Со стороны выхода транзистор может быть представлен эквивалентным генератором, ЭДС которого равна Кхх·Uвых, а внутреннее сопротивление равно Rвых транзистора при включении ОЭ. В эквивалентной схеме, приведенной на рисунке 1.29 имеются частотно-зависимые элементы С2 и Со. Это означает, что при постоянной амплитуде напряжения на входе, напряжение на выходе Uвых зависит от частоты входного напряжения, т.е. коэффициент усиления каскада зависит от частоты. При уменьшении частоты сигнала сопротивление конденсатора С2 увеличивается, падение напряжения на нем возрастает, в результате напряжение на выходе Uвых уменьшается. Поэтому с понижением частоты коэффициент усиления каскада уменьшается.
Рисунок 1.29 - Упрощенная эквивалентная схема резисторного каскада
На высоких частотах проявляются шунтирующие действие ёмкости Co. С повышением частоты входного сигнала сопротивление ёмкости уменьшается, а следовательно, и падение напряжения сигнала на ней уменьшается. Поэтому с повышением частоты коэффициент усиления каскада уменьшается. В области средних частот потери напряжения на конденсаторе С2 невелики. Для того чтобы коэффициент усиления резисторного каскада в рабочем диапазоне частот оставался постоянным, ёмкость разделительного конденсатора С2 выбирают по возможности большей, а паразитную ёмкость монтажа Со стремятся уменьшить.
Рисунок 1.30 - Характеристики амплитудно –частотная (а) и фазо-частотная (б) резисторного каскада Все резисторные каскады, независимо от типа используемых в них транзисторов, имеют одинаковый вид частотных и фазовых характеристик. Все различие в характеристиках этих каскадов носят только количественный характер.
Полевой транзистор, имеющий, как и биполярный транзистор,
Рисунок 1.31- Резисторный каскад на полевом транзисторе (схема с общим истоком
Данная схема содержит элементы, которые обеспечивают как его нормальную работу в выбранном режиме, так и передачу усиленного сигнала на вход последующего каскада. Назначение элементов схемы: VT- полевой транзистор с управляющим р-п - переходом и каналом п-типа; Rc — нагрузка по постоянному току; Rи - обеспечивает работу транзистора в выбранном режиме по постоянному току, обеспечивает автоматическое смещение, которое задаёт режим покоя
класса А путём подачи напряжения смещения до затвора VT через резистор R1. Одновременно цепь автоматического смещения обеспечивает температурную стабилизацию режима покоя. Ток Iос в выходной (стоковой) цепи устанавливается с помощью источника питания Е и начального напряжения смещения на затворе Uоз отрицательной полярности относительно истока (для полевого транзистора с каналом р- типа – положительной полярности). В свою очередь напряжение Uоз обеспечивается за счет тока Iос проходящего через резистор Rи в цепи истока, т.е.
Uоз = Iоз ·Rи, (1.45)
Которое через резистор R1 прикладывается с полярностью, указанной на рисунке 1.33. Изменяя сопротивление Rи можно изменять напряжение Uоз и ток стока Iос. Си- конденсатор, который шунтирует резистор Rи, чтобы на этом резисторе на выделялось напряжение за счёт переменной составляющей тока стока (это привело бы к наличию отрицательной обратной связи аналогично тому, как это имело место в усилителе на биполярном транзисторе за счёт сопротивления в цепи эмиттера Rэ). С1,С2 - разделительные конденсаторы. R1 - резистор обеспечивает цепь для протекания тока затвора, и поэтому его наличие в схеме обязательно для нормальной работы транзистора. Ток затвора, хотя он и очень мал, создаёт на резисторе R1 падение напряжения. Коэффициент усиления усилительных каскадов на полевых транзисторах в области средних частот определяется равенством Ku=-S·Rc, (1.46) где S- статическая крутизна характеристики полевого транзистора. Знак минус указывает на то, что усилительный каскад ОИ меняет фазу усиливаемого сигнала на 180° (как в усилительном каскаде ОЭ). Поэтому при воздействии на вход усилителя переменного входного сигнала Uвx=:U3=U3msinwt напряжение выходного сигнала. uвых = - Sо Rс U3msinwt. (1.47) где Sо - крутизна характеристики в рабочей точке (Iос,Uос). Усилители на полевых транзисторах благодаря большому входному сопротивлению (несколько мегаОм) широко применяют в качестве входных каскадов различных электронных устройств, источник входного сигнала которых обладает большим внутренним сопротивление Трансформаторным называется каскад, имеющий в выходной Трансформатор по сравнению с резистором имеет ряд недостатков: большие габаритные размеры и масса, чувствительность к наводкам от внешних магнитных полей, внесение частотных, фазовых и нелинейных искажений. Однако в ряде случаев трансформатор необходим, например для согласования выходного сопротивления предыдущего каскада с в входным сопротивлением последующего, для перехода от однотактной схемы к двухтактной или для повышения напряжения малого входного сигнала относительно напряжения собственного шума первого транзистора. Принципиальная схема промежуточного трансформаторного каскада приведена на рисунке 1.32. Обычно транзистор в этих каскадах включается с общим эмиттером. Пунктиром показаны элементы, не относящиеся к схеме рассчитываемого трансформаторного каскада. Нагрузкой является входное сопротивление следующего каскада: Rн = Rвх.сл. Трансформатор позволяет подать смещение на базу следующего транзистора VT2 последовательно с входным сигналом, поэтому делитель смещения не шунтирует вход VT2 и выход каскада на VT1. Постоянная составляющая тока коллектора Iко протекает от +Ек через Rэ, транзистор VT1 и первичную обмотку трансформатора к --Ек, создавая постоянное подмагничевание сердечника трансформатора. Это недостаток схемы, так как во избежание насыщения сердечника и увеличения нелинейных искажений приходится увеличивать размеры сердечника и габариты всего трансформатора. Постоянная составляющая тока не создает заметного падения напряжения на малом активном сопротивлении первичной обмотки, поэтому коллекторное напряжение можно считать равным напряжению источника электропитания: Uко ≈ Ек. Переменная составляющая тока создает в сердечнике переменный магнитный поток с частотой сигнала и во вторичной цепи индуктируется выходное напряжение.
Рисунок 1.32- Принципиальная схема трансформаторного каскада предварительного усиления
Для составления эквивалентной схемы каскада (рисунок 1.32) следует заменить транзистор VT1 эквивалентным генератором с ЭДС Ег и внутренним сопротивлением Rr, как это делалось для резисторного каскада, а трансформатор заменить его эквивалентной схемой. Влияние входной цепи следующего транзистора, нагружающий трансформатор, учитываются включением Rн = Rвх.сл. Если трансформатор является межкаскадным, то в эквивалентной схеме Ег=Кхх·Uвх и Rг=Rвых, а при входном трансформаторе Ег=Еис и Rг=Rис - данные источника сигнала. Параметры трансформатора являются: L1 -индуктивность первичной обмотки, r1 и r2- активные сопротивления первичной и вторичной обмоток, Lsi и Ls2 - индуктивность рассеивания первичной и вторичной обмоток, Стр - межвитковая ёмкость трансформатора, Со- общая ёмкость нагрузки или входной цепи следующего каскада, при условии, если пренебречь малыми потерями в сердечнике, п- коэффициент трансформации, равный отношению числа витков вторичной обмотки к числу первичной, См- монтажная ёмкость. Емкость Со = Стр + См + Свх. сл; С'о=Со·п2,
r'2=r2/n, Rвх.сл = Rвх.сл /n, L's2=Ls2/n, Ls=LS1+L'S2 Амплитудно-частотная характеристика трансформаторного каскада представлена на рисунке 1.33. В области нижних частот характеристики трансформаторного каскада - АЧХ - определяют влиянием индуктивности первичной обмотки трансформатора L1. С понижением частоты сигнала сопротивление XL=wL уменьшается. При этом ток от источника сигнала возрастает, потери напряжения на Rиct и r1 увеличиваются и выходное напряжение уменьшается. В результате АЧХ в области нижних частот имеет “завал”. Причём, “завал” будет тем больше, чем меньше L1,тем меньше её сопротивление и тем больше она шунтирует Rэкв.н., которое можно быть вычислено, как параллельное включенные (Rг+r1) и (r'2+R'вх.сл). Для уменьшения спада частотной характеристики следует увеличивать постоянную времени нижних частот, а для этого надо увеличивать индуктивность первичной обмотки L1 за счёт увеличения числа витков.
Рисунок 1.33-Упрощенная эквивалентная схема трансформаторного каскада
В области высоких частот влиянием L1 можно пренебречь, так как её сопротивление ещё больше, чем на средних частотах. Вместе с тем с повышением частоты увеличивается сопротивление w·Ls и падение напряжения на индуктивности рассеивания, а сопротивление Xc = l / (w·C'o) уменьшается и растёт потребляемый ёмкостью С'о ток. Поэтому в области верхних частот сказывается влияние двух реактивных элементов: Ls и С'о (рисунок 1.33). Оба они создают спад частотной характеристики, так как с ростом потерь напряжения Ls выходной сигнал уменьшается и с возрастанием тока через С'о он также уменьшается за счёт увеличения потерь на внутреннем сопротивлении генератора. Практически с повышением частоты Ls и С'о начинают действовать не одновременно. Если следующий каскад построен на мощном транзисторе с общим эмиттером, то раньше сказывается влияние его входной ёмкости. Поэтому характеристика сначала имеет менее крутой спад, а когда начинает влиять индуктивность рассеяния, крутизна спада увеличивается. На определённой частоте f рез. наступает резонанс напряжений между Ls и С'о, который называется резонансом рассеивания трансформатора.
Рисунок 1.34 - Частотная характеристика трансформаторного каскада предварительного каскада
Резонансный выброс отсутствует при малом входном сопротивлении следующего каскада, шунтирующем ёмкость Со. Для уменьшения частотных искажений и повышения частоты резонанса рассеивания следует уменьшать индуктивность рассеивания Ls. Это достигается секционированием обмоток и поочередным расположением на катушке секций первичной и вторичной обмоток.
Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 4119; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |