Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Собственные и примесные полупроводники




 

Полупроводник будет являться собственным, если содержание примесей в нем, влияющих на электропроводность, ничтожно мало. Если же в состав материала входят некоторые легирующие добавки, то такой материал называется примесным полупроводником.

Свободные носители в собственном полупроводнике возникают толькозасчет разрыва валентных связей, поэтому в нем число дырок равно числу свободных электронов, т.е.

п00=пii (2.66)

Соотношение (2.66) выражает собой условие электронейтральности собственного полупроводника. Величина ni=pi носит название собственной концентрации (i = intrinsic – (англ.) – внутренне присущий, неотъемлимый, собственная характеристика).

Полупроводник, который содержит примесные атомы в узлах кристаллической решетки, называется легированным или примесным.

2.5.1. Закон действующих масс (основное уравнение полупроводника)

 

Если примесные атомы создают мелкие донорные или акцепторные уровни (раздел 1.3.8), то при комнатной температуре они являются ионизованными и вносят свой вклад в концентрацию свободных носителей заряда – электронов (n0) и дырок (p0) в зону проводимости или валентную зону. При выводе формул (2.60) и (2.61), никаких ограничений, связанных с легированием полупроводников не вносилось; единственное ограничение касалось положения уровня Ферми в запрещенной зоне (полупроводник должен быть невырожденным). Таким образом, формулы (2.60) и (2.61) пригодны как для легированных, так и для нелегированных невырожденных полупроводников.

Исключим уровень Ферми, перемножив n0 и p0:

(2.67)

, (2.68)

где А – постоянная для данного полупроводника величина. Правая часть зависит только от температуры и ширины запрещенной зоны полупроводника. Но! Не зависит от концентрации. Если ввести обозначения и –концентрации носителей в собственном полупроводнике.

(2.69)

Т.е.: Произведение концентраций основных и неосновных носителей заряда в невырожденном полупроводнике при фиксированной температуре является постоянной величиной, которая не зависит от концентрации введенной примеси и равна квадрату концентраций собственных носителей заряда при той же температуре.

{Ввести определение основных и неосновных носителей заряда – на примерах}

Равенство (2.69) называют законом действующих масс или основным уравнением полупроводника. В случае термодинамического равновесия этот закон справедлив как для собственных, так и для примесных полупроводников. Если же равновесие нарушено, т.е. величина n0 и p0 зависят от некоторых внешних, факторов, то n0×p0¹ ni2.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 1225; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.012 сек.