Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Ємність плоского конденсатора




7.

5.

4.

Елементарна робота dA, яка виконується силою =q0 при переміщенні заряду q0 на відрізок d

 
 

 

 

  dA=(d)=(q0 d) =q0Edl ×cos a = q0 E dr   Робота, яку виконує електричне поле при переміщенні заряду q0 з точки 1 (r1) у точку 2 (r2)   або

A=(q0q /4p e0 e)(1/r1- 1/r2) (11)

З (11) видно, що робота не залежить від форми шляху, а залежить тільки від початкового та кінцевого положеня точок. Висновок: сили електростатичного поля консервативні, а саме поле потенціальне.

dA = q0 (d);

(, d) - циркуляція вектора по замкненому контуру L.

A = q0 (,d);

Із формули (11) видно, що робота електричного поля по замкненому контуру (r1= r2 ) дорівнює нулю. Таким чином, із визначення циркуляції виходить, що вона дорівнює нулю.

Якщо циркуляція вектора будь-якого силового поля дорівнює 0, то як наслідок силові лінії такого поля не замкнені.

 

Із розділу механіки відомо, що робота консервативних сил виконується за рахунок змін потенціальної енергії;

 

A = - DWn = - (Wn(2) - Wn(1)) = Wn(1) - Wn(2) (12)

Wn – потенціальна енергія заряду.

Wn(2) – потенціальна енергія заряду в точці 2.

Wn(1) – потенціальна енергія заряду в точці 1.

 

Із рівняння (12) і (11)

 

Wn = qq0 /(4p e0 e r) + c;

c = 0 (r ® )

 

Wn = qq0 /(4p e0 e r); (13)

Потенціалом j даної точки поля називається відношення потенціальної енергії Wn заряду q0 у даній точці до величини цього заряду.

 

j = Wn / q0; (14)

 

 

Із (14) видно, що потенціал — це енергетична характеристика даної точки поля. Знайдемо зв’язок між та j. Для цього перемістимо заряд q0 між двома близькими точками простору.

 

dA = q0 E dl; dA = - d Wn;

dA = - q0 dj; q0Edl = - q0 dj;

 

El = - (dj /dl); = - (dj /dl) ; (15)

= - (dj /dl) ; = -j = - grad j;

 

Напруженість поля в даній точці дорівнює градієнтові потенціалу, взятому з протилежним знаком.

Будь-яка точка електричного поля характеризується як векторною, так і скалярною величинами ( та j), між якими існує певний зв’язок.

 

6. Якщо помістити провідник у зовнішнє електричне поле, то вільні заряди (наприклад- d електрони у металі) перерозподіляться такими чином, що напруженість електричного поля у середині провідника буде дорівнювати нулю.

рез = 0; Е = - (dj /dl);

Е = 0; (dj /dl) = 0; j = const,

як у середині провідника, так і на його поверхні, тобто весь об’єм провідника, можна вважати еквіпотенціальним, а напруженість електричного поля біля поверхні завжди буде спрямована по нормалі до поверхні у даній точці.

Якщо надати провіднику додатковий електричний заряд, то нескомпенсовані заряди розмістяться тільки на поверхні провідника.

Ця властивість застосовується для електростатичного екранування від зовнішніх електричних полів.

Можна показати, що напруженість електростатичного поля поблизу поверхні провідника прямо пропорційна поверхневій густині заряду s:

 

s = q / S; Еn = s / e0 e. (16)

 

Як показує досвід, при нанесенні на відокремлений провідник заряду для однакових провідників зі зростанням величини заряду q буде зростати і потенціал цього провідника j. Тому для відокремленого провідника:

j = (1/С) q; (17)

де С – ємність відокремленого провідника

 

С = q / j; (18)

[ C ] = Кл / В = Ф.

 

Ємність залежить від геометричної будови провідника (його форми та лінійних розмірів) ті діелектричної проникності середовища, в якому він знаходиться.

Для сфери: С = 4p e0 e R, де R – радіус сфери.

 

Конденсатор – це система, що являє собою два провідники, які розділені шаром діелектрика.

 

С = e0 e S / d; (19)

e0 – електрична стала;

e – діелектрична проникність;

S – площина однієї з пластин плоского конденсатора;

d – відстань між пластинами;

Паралельне з”єднання конденсаторів:

Срез = С1 + С2;

n

Срез =å Сi;

i = 1

Послідовне з”єднання:

C1 C2 1/Cрез = 1/С1 + 1/С2 ;

           
     

n

1/Срез =å 1/Сi ;

i = 1




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 709; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.006 сек.