Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Метод рентгеновской тензометрии




 

Этот метод применяется для исследования напряженного состояния и структур объектов из поликристаллических материалов. Он основан на измерении межплоскостных расстояний с использованием явления дифракции рентгеновских лучей на плоскостях решеток поликристаллических материалов. При облучении решетки поликристаллического образца монохроматическими рентгеновскими лучами атомы вынуждаются к колебаниям в режиме рентгеновского излучения и действуют как корпускулярные генераторы колебаний, излучение которых интерферирует в зависимости от внутренних геометрических условий, которые определяются уравнением Брегга (10):

l=2*dhkl * sinqhkl , (10)

где l--длина волны рентгеновского излучения;q--угол дифракции; hkl—индексы Миллера для плоскостей решеток.

 

Рисунок 3 – Рентгеновская тензометрия

Если в поликристаллическом образце отсутствуют внутренние напряжения, то расстояния между соответствующими плоскостями решеток одинаковы и не зависят от положения этих плоскостей в образце. На рисунке 3 а) показано распределение нескольких плоскостей решеток с равными индексами в свободном от механических напряжений образце, а на рисунке 3 б) – при наличии напряжения растяжения sx вдоль одной из осей. Упругие деформации, обусловленные внешними или внутренними напряжениями, приводят к изменению расстояния между плоскостями решеток. Распределение внутренних напряжений в деформированном кристалле может быть найдено по экспериментально измеренным значениям относительного изменения периода решетки в данном кристаллографическом направлении (Dd/d)hkl и микроскопической кривизне атомных плоскостей.

Реализация метода рентгеновской тензометрии поясняется на рисунке 3 в). Рентгеновское излучение от источника 1направляется на установленный в центре лимба 3 исследуемый образец 2, от которого излучение после интерферирования отражается сцинтиляционный счетчик 4. Поворачивая образец и счетчик вокруг оси, перпендикулярной плоскости диска, определяют углы дифракции q. По измеренным значениям углов, соответствующих дифракционным максимумам, и по известной длине волны излучения определяют расстояния между плоскостями решетки, которые дают информацию о структуре, асимметрии и деформации кристаллической решетки. При помощи такого измерительного устройства можно исследовать дифракционные линии с углами дифракции от 25° до 82° при углах Y между поверхностью образца и плоскостью решетки от – 65 ° до +65°.

Процесс измерения на основе рентгеновской интерференции поддается автоматизации. Для определения упругих деформаций и напряжений в различных деталях разработаны типовые программы для обработки полученной информации на ЭВМ.

Метод рентгеновской тензометрии позволяет как бы визуализировать искажения кристаллической структуры и по виду картины муара определить тип искажения. Метод позволяет измерять статические и динамические напряжения, а также градиенты напряжений на очень малых участках, линейные размеры которых в мелкокристаллических материалах не превышают десятки микрометров. При этом можно измерить деформацию в любом направлении, образующем с нормалью к поверхности объекта углы от 0° до 65°.

Это позволяет найти микроструктуру распределения деформаций и напряжений в тонком слое, что особенно важно при исследовании объектов с поверхностным упрочнением, в которых механические напряжения дислоцированы в тонком поверхностном слое толщиной в десятки или сотни микрометров.




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 693; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.009 сек.