Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Следовательно, в такой структуре имеется градиент концентрации подвижных носителей заряда каждого знака


Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,

а дырки из р-области – в n-область.

Под действием разности концентраций электроны из n-области будут перемещаться в p-область,

а дырки из р-области – в n-область.

На месте ушедшей дырки в p-области навелся отрицательный заряд да еще электрон пришел из n-области, на месте ушедшего электрона n-области навелся положительный заряд впридачу пришел положительный заряд из р-области.

В результате на границах р-n-перехода слева сформировался отрицательный пространственный заряд, а справа - положительный пространственный заряд.

Этот двойной электрический слой создаёт электрическое поле с напряжённостью Е0 и приводит к появлению внутри полупроводника потенциального барьера φ0.

Это поле вызывает также направленное движение неосновных носителей заряда через переход – дрейфовый ток, направленный навстречу диффузному току Iдр = IДРр + IДРn

В конце концов эти токи сравняются IДР = IДИФ Наступит равновесное состояние и результирующий ток окажется равным нулю.

 

Структуру с повышенной концентрацией носителей принято обозначать символом p+.

2.2 Подключение внешнего источника напряжения к p-n-переходу

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Тема 2. Полупроводниковые диоды | Прямое (согласное) включение p-n-перехода

Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 199; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:

  1. ECDIS в структуре речной информационной службы
  2. N В этом случае образуется больше ксантина и, следовательно, мочевой кислоты
  3. Беседа в структуре научного исследования
  4. БОЛЬШИХ ВЫСОТАХ С АТАКОЙ В ППС
  5. В качестве такой меры решили выбрать вероятность случайного события.
  6. В первом случае частота ответных сигналов изменяется полностью в течение каждого ответного импульса.
  7. В случае если стороны не достигли согласия по всем существенным условиям хозяйственного договора, такой договор считается незаключенным (несостоявшимся).
  8. В СТРАТОСФЕРЕ С АТАКОЙ В ЗПС
  9. В СТРАТОСФЕРЕ С АТАКОЙ ВЦ ПОД БОЛЬШИМ РАКУРСОМ
  10. В структуре мировоззрения четыре основных компонента: познавательный, ценностно-нормативный, эмоционально-волевой, практический.
  11. В структуре мотивационного возбуждения гипоталамическим центрам принадлежит особая, ведушая роль.
  12. В структуре неврозов преобладают астенические и ипохондрические проявления.

studopedia.su - Студопедия (2013 - 2021) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.002 сек.