Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Прямое (согласное) включение p-n-перехода


Подключим к p-n-переходу внешний источник напряжения U плюсом (+) к p-, а (-) к n-слою.

Изменится высота потенциального барьера φ0 Внешнее напряжение окажется приложенным в основном к запирающему слою как к участку с наибольшим сопротивлением.

Напряжение U оказалось включенным встречно с внутренним электрическим полем Ео.

В результате высота потенциального барьера снижается на величину внешнего напряжения U.

 
 


Количество носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера, увеличивается. Увеличивается диффузионная составляющая Iдиф тока через p-n-переход.

В каждой области появляются дополнительные избыточные концентрации носителей.

При этом нарушается условие равновесного состояния.

Носители собственной электропроводности также начнут встречено движение, образуя дрейфовый ток.

Учитывая, что концентрации неосновных много меньше концентрации основных носителей, можно отметить, что дрейфовый ток Iдр этих носителей от приложенного напряжения зависит очень слабо.

Таким образом, результирующий ток через p-n-переход

 

Нарушенное условие равновесного состояния р-n-структуры должно быть восстановлено за счет источника внешнего напряжения. Ушедшие из р-слоя дырки восполняются положительными зарядами источника U, ушедшие электроны – электронами источника U. В результате появляется ток во внешних выводах р-n-структуры.

Этот ток далее будем называть прямым током.

Внешнее напряжение при таком включении – прямым Uпр.
р-n-структура - включена согласно.

Высота потенциального барьера φ0 составляет доли вольта. Поэтому достаточно приложить напряжение Uпрдоли вольта, чтобы p-n-переход начал открываться.

Уменьшение результирующего поля у p-n-перехода приводит к уменьшению объёмного заряда и уменьшению длины запирающего слоя l0.

Процесс внедрения носителей заряда в какую-либо область полупроводника, для которой они являются неосновными, называется инжекцией.

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Следовательно, в такой структуре имеется градиент концентрации подвижных носителей заряда каждого знака | Включение p-n-перехода в обратном направлении

Дата добавления: 2014-01-07; Просмотров: 196; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



ПОИСК ПО САЙТУ:


Рекомендуемые страницы:

Читайте также:
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2021) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление
Генерация страницы за: 0.002 сек.