Параметры транзистора

α - статический коэффициент передачи тока эмиттера,

В - статический коэффициент передачи тока базы,

- дифференциальное сопротивление цепи базы,

- дифференциальное сопротивление цепи коллектора для схемы включения ОЭ,

Iкэ ₀ - сквозной ток транзистора в схеме ОЭ,

Мощность рассеяния Рк = < Рк.доп

Рк.доп – допустимая мощность рассеяния коллекторной цепи. Эта мощность выделяется в виде тепла.

3.5 Инерционные свойства транзисторов

При быстром изменении сигнала начинают проявляться инерционные свойства транзисторов.

Причины:

- конечная и различная скорость (энергия) носителей зарядов,

- конечная толщина базы,

- процессы насыщения и рекомбинации.

Эти причины ограничивают частотные свойства транзисторов.

Подадим во входную цепь транзистора – цепь базы скачок тока Из-за указанных причин ток коллектора начнет возрастать не сразу, а с некоторой задержкой.

Нарастание тока коллектора происходит по экспоненциальному закону, который характеризуется постоянной времени τ (читается тау).

Нарастание тока коллектора происходит в течение времени t_ф.

tф - время, в течение которого экспонента нарастает до уровня 0,9·∆Iк называется время фронта.

Появление затягивания фронта свидетельствует о том, что коэффициенты α и В зависят от времени (частоты ω).

Эту зависимость характеризуют постоянной времени коэффициента В τ_в.

Для RC – цепи τ =

Частотные параметры транзисторов:

- граничная частота ƒ_ГР (ω_гр) – частота, на которой коэффициент В уменьшается в √ 2 раз.

- частота единичного усиления |В(jω)| = 1.

Дата добавления: 2014-01-07