Биполярные транзисторы. Классификация и система обозначений

Классификация и система обозначений

Предельные режимы работы транзистора

Предельные режимы

1. По температуре. Для Si – 100 – 120 ºC.
   Для приборов на основе GaAs рабочая температура может достигать 200 ºС.
2. По току I к.доп возможен перегрев.
3. По напряжению U кэ.доп возможен пробой.
4. По рассеиваемой мощности Р _К = I _К· U _К ≤ Р _к.доп.
5. Рабочая область.
6. Н – область насыщения.
7. О – область отсечки коллекторного тока.
8. | B(j·ω)| = 1.

В основу системы положен буквенно-цифровой код.

1-й элемент:

Г или 1 – германий,

К или 2 – кремний или его соединения,

А или 3 – соединения галлия,

И или 4 – соединения индия.

Буквенные символы присваиваются приборам общего применения.

Числовые - приборам специального применения.

В основу системы положен буквенно-цифровой код.

2-й элемент:

Т – подкласс прибора – транзистор биполярный.

3-й элемент классификации - мощность рассеяния и граничная частота.

4-й элемент – классификационный литер – буква.

Дополнительные знаки:

С – сборки транзисторов в одном корпусе,

Цифра – бескорпусные транзисторы.

Классификация и система обозначений

Классификация и система обозначений

Допускается окружность не рисовать.

Изображение транзистора можно поворачивать на 90º в любом направлении.

Внешний вывод коллектора и эмиттера можно изображать так как показано или повернуть на 90º.

Транзистор типа n-p-n

система обозначений

Россия Motorol 1 National 2

2Т312А Q2N3500 PN5132

Литература

1. Миловзоров О.В., Электроника: Учебник для вузов.

/О.В. Миловзоров, И.Г. Панков. М.: Высшая школа, 2004.

Дата добавления: 2014-01-07