Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Концентрация носителей

1. Собственный полупроводник:

Для Ge: φD = 0,67 В, для Si: φD = 1,11 В. Такое сравнительно небольшое различие в ширине запрещенной зоны приводит к различию собственных концентраций при комнатной температуре более чем на 3 порядка.

2. Электронный и дырочный полупроводники:

Из полученного выражения для ni = np и выражения для произведения np следует, что

Отсюда легко выразить концентрации n и p через собственную концентрацию ni:

, ,

А также потенциал Ферми в двух выражениях:

., .

Для определения потенциала Ферми по этим формулам необходимо использовать условие нейтральности (точнее, квазинейтральности) однородного полупроводника (как для равновесного состояния, так и при наличии тока):

,

где - концентрация ионизированных доноров и акцепторов.

Для электронных п/п без акцепторов ,

Для дырочных п/п без доноров .

 

<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Законы распределения носителей в зонах полупроводников | Плотность уровней энергии, функция вероятности и концентрация носителей в дырочном полупроводнике
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-01-11; Просмотров: 349; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.013 сек.