Для Ge: φD = 0,67 В, для Si: φD = 1,11 В. Такое сравнительно небольшое различие в ширине запрещенной зоны приводит к различию собственных концентраций при комнатной температуре более чем на 3 порядка.
2. Электронный и дырочный полупроводники:
Из полученного выражения для ni = np и выражения для произведения np следует, что
Отсюда легко выразить концентрации n и p через собственную концентрацию ni:
, ,
А также потенциал Ферми в двух выражениях:
., .
Для определения потенциала Ферми по этим формулам необходимо использовать условие нейтральности (точнее, квазинейтральности) однородного полупроводника (как для равновесного состояния, так и при наличии тока):
,
где - концентрация ионизированных доноров и акцепторов.
Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет
studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав!Последнее добавление