Студопедия

КАТЕГОРИИ:


Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748)

Механизмы генерации и рекомбинации свободных неравновесных носителей заряда в полупроводниках




Неравновесные носители зарядов в полупроводниках

 

Нам предстоит рассмотреть состояния полупроводника, при которых концентрации свободных носителей заряда n и p по каким-либо причинам отличаются от равновесных концентраций n0 и p0

, (1.4.1а)

. (1.4.1б)

Величины и называют избыточными концентрациями. Они могут быть как положительными, так и отрицательными величинами. Если величина избыточной концентрации носителей много меньше равновесной концентрации основных носителей (), то уровень возбуждения называют малым. Но даже при малом уровне возбуждения избыточная концентрация может значительно превосходить концентрацию неосновных носителей. Если же и , то уровень возбуждения называют высоким.

Рассмотрим на качественном уровне физические механизмы, приводящие к отклонению концентраций свободных носителей заряда от их равновесных значений в выделенном контрольном объеме полупроводникового материала. Рассмотрим также механизмы, приближающие систему свободных носителей заряда к состоянию равновесия.

 




Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2014-10-15; Просмотров: 472; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы!


Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет



studopedia.su - Студопедия (2013 - 2024) год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! Последнее добавление




Генерация страницы за: 0.007 сек.