КАТЕГОРИИ: Архитектура-(3434)Астрономия-(809)Биология-(7483)Биотехнологии-(1457)Военное дело-(14632)Высокие технологии-(1363)География-(913)Геология-(1438)Государство-(451)Демография-(1065)Дом-(47672)Журналистика и СМИ-(912)Изобретательство-(14524)Иностранные языки-(4268)Информатика-(17799)Искусство-(1338)История-(13644)Компьютеры-(11121)Косметика-(55)Кулинария-(373)Культура-(8427)Лингвистика-(374)Литература-(1642)Маркетинг-(23702)Математика-(16968)Машиностроение-(1700)Медицина-(12668)Менеджмент-(24684)Механика-(15423)Науковедение-(506)Образование-(11852)Охрана труда-(3308)Педагогика-(5571)Полиграфия-(1312)Политика-(7869)Право-(5454)Приборостроение-(1369)Программирование-(2801)Производство-(97182)Промышленность-(8706)Психология-(18388)Религия-(3217)Связь-(10668)Сельское хозяйство-(299)Социология-(6455)Спорт-(42831)Строительство-(4793)Торговля-(5050)Транспорт-(2929)Туризм-(1568)Физика-(3942)Философия-(17015)Финансы-(26596)Химия-(22929)Экология-(12095)Экономика-(9961)Электроника-(8441)Электротехника-(4623)Энергетика-(12629)Юриспруденция-(1492)Ядерная техника-(1748) |
Влияние температуры на ход вольтамперной характеристики p-n перехода
На вольтамперную характеристику p-n перехода существенное влияние оказывает температура. На рис. 15 видно, что более существенное изменение претерпевают обратные ветви характеристик германиевого и кремниевого p-n переходов. Дело в том, что с повышением температуры кристалла увеличивается тепловая энергия электронов, поэтому повышается вероятность их перехода из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к росту концентрации неосновных носителей заряда, а, следовательно, и возрастанию обратного тока.
Рис. 15. Вольтамперные характеристики p-n переходов при разных температурах: а – германиевого; б – кремниевого
В германиевых p-n переходах при комнатной и повышенной температурах преобладают тепловые токи, обусловленные прямой генерацией, вероятность которой достаточно высока, поскольку кристаллы германия имеют малую ширину запрещенной зоны. В кремниевых p-n переходах ширина запрещенной зоны сравнительно велика, поэтому при комнатной температуре вероятность прямой генерации низка: тепловые токи, обусловленные этим видом генерации, не превышают сотых и тысячных долей тепловых токов, вызванных ступенчатой генерацией. Лишь при температурах порядка 120°С указанные составляющие тепловых токов у германиевых и кремниевых p-n переходов становятся сравнимы между собой.
Прямые ветви вольтамперных характеристик германиевых и кремниевых p-n переходов с ростом температуры изменяются не так сильно. Дело в том, что прямой ток перехода создается преимущественно основными носителями заряда, количество которых определяется лишь степенью легирования полупроводников, на границе которых возникает p-n переход. При комнатной и повышенной температурах количество основных носителей остается неизменным, а небольшое увеличение прямого тока объясняется изменением контактной разности потенциалов, которая уменьшается с ростом температуры. Кроме того, в прямом токе всегда присутствует составляющая, связанная с неосновными носителями заряда, число которых увеличивается с ростом температуры.
Дата добавления: 2014-10-17; Просмотров: 723; Нарушение авторских прав?; Мы поможем в написании вашей работы! Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет |