Лабораторные работы. Библиографический список

Библиографический список

Вопросы для допуска к работе

1. Какова проводимость полупроводника при отсутствии освещения?

2. Как изменяется проводимость полупроводника под действием света?

3. Почему в качестве полупроводника в лабораторной работе исследуется фоторезистор?

4. Какие характеристики фоторезистора исследуются в лабораторной работе?

5. Объяснить порядок и методику выполнения работы.

Контрольные вопросы и задания

1. Объяснить явление поглощения света в полупроводнике.

2. Назовите и объясните виды поглощения света в полупроводниках. Чем они отличаются друг от друга?

3. Какие виды поглощения света приводят к увеличению электропроводности полупроводника?

4. Привести объяснение фоторезистивного эффекта в полупроводнике.

5. Как изменяется концентрация подвижных носителей в полупроводнике при включении и выключении света?

1. Коваленко А.А. Основы микроэлектроники: учеб. пособие/ А.А. Коваленко, М.Д. Петропавловский; доп. Мин–вом образования РФ для студ. по направл. физ.–мат. образования. – М.: Академия. 2006. – 240 с.

2. Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники: учеб. пособие/ Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина; доп. УМО по образованию в обл. прикл. информатики для студ. вузов. – Горячая линия – Телеком, 2005. – 392 с.

3. Миловзоров О.В. Электроника: учебник/ О.В. Миловзоров, И.Г. Панков; доп. Мин-вом образования РФ для студ. Вузов…машиностр. Спец. – 3-е изд.,стер. – М.: Высш. Школа, 2006. – 288с.

4. Лачин В.И. Электроника: Учебное пособие/ В.И. Лачин, Н.С.Савелов.– Ростов н/Д:Феникс, 2002,–572с.

5. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие/ А.А. Щука; рек. УМО по образованию в обл. радиотехники…для студ. вузов. – 2-е изд. – СПб.: БХВ–Петербург, 2008. – 752 с.

Оглавление

Основы физики полупроводников. 3

Структура полупроводников. Зонная модель и модель ковалентной связи 3

Образование носителей заряда в собственных полупроводниках 6

Примесная электропроводность полупроводников. 8

Закон действующих масс и принцип нейтральности полупроводника 11

Процессы электропроводности в полупроводниках. 14

Дрейф носителей заряда. 14

Диффузия носителей заряда. 16

Оптические свойства полупроводников. 17

Собственное поглощение. 18

Примесное поглощение. 19

Фоторезистивный эффект. 20

Контакт полупроводников p- и n-типа. 21

Образование электронно-дырочного перехода. 22

Электронно-дырочный переход под прямым напряжением.. 26

Электронно-дырочный переход под обратным напряжением.. 29

Вольтамперная характеристика реального p-n перехода. 31

Пробой электронно-дырочного перехода. 35

Влияние температуры на ход вольтамперной характеристики
p-n перехода. 37

Лабораторная работа №1. 39

Лабораторная работа №2. 44

Лабораторная работа №3. 48

Лабораторная работа №4. 51

Библиографический список. 56

Оглавление. 57

Дата добавления: 2014-10-17