С общим истоком и полярности рабочих напряжений

Включение МОП – транзисторов с индуцированным каналом (МОП – транзисторов обогащённого типа) и их схемные обозначения показаны на рис. 5. Все напряжения принято отсчитывать от общего заземлённого электрода, т.е. от истока. На затвор МОП – транзистора можно подавать напряжение V_ЗИ любой полярности, т.к. затвор изолирован от подзатворной области слоем диэлектрика. Но для приведения МОП – транзистора обогащённого типа в рабочее состояние напряжение на затворе (его постоянная составляющая) должно обеспечивать режим сильной инверсии в подзатворной области (|V_ЗИ| > |V_T|). Для n-канального транзистора V_ЗИ > 0, для р - канального V_ЗИ < 0. Следует отметить, что из-за малой толщины подзатворного окисла предельные напряжения V_ЗИ для МОП – транзисторов ИМС составляют единицы вольт.

		Рис. 5. Включение МОП-транзисторов с индуцированным каналом по схеме с общим истоком и полярности рабочих напряжений:   а – n-канальный МОП - транзистор;   б – p-канальный МОП – транзистор.

При бо′льших напряжениях подзатворный диэлектрик пробивается и транзистор выходит из строя. Подзатворный диэлектрик может пробиться даже статическим напряжением, возникающим из-за скопившегося на руках статического заряда. Поэтому монтаж МОП – приборов и МОП – ИМС следует вести с соблюдением нужных мер предосторожности. На сток относительно истока подают такое напряжение, чтобы основные носители канала дрейфовали от истока к стоку. Для n - канальных транзисторов V_СИ > 0, для р – канальных транзисторов V_СИ < 0 (см. рис. 5). На вывод подложки можно подавать относительно истока только такое напряжение, которое соответствует обратному включению p-n перехода исток подложка. Для n - канальных транзисторов V_ПИ < 0, для р – канальных транзисторов V_ПИ > 0. Прямое включение перехода исток – подложка недопустимо. В цепи дополнительного управляющего электрода (подложки) не должен протекать большой ток. Во многих схемах подложку и исток соединяют накоротко. При включении МОП - транзисторов со встроенным проводящим каналом, соединяющим исток и сток и при отсутствии внешнего смещения (так называемых транзисторов обеднённого типа), постоянная составляющая напряжения на затворе может быть как положительной, так и отрицательной. Для n - канальных транзисторов положительное напряжение V_ЗИ увеличивает проводимость встроенного канала, а отрицательное – уменьшает. Для транзисторов с каналами р – типа рабочие напряжения имеют противоположную полярность по сравнению с n – канальными приборами.

Дата добавления: 2014-11-18